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MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA Micron Technology Inc.
| Marca | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Número do modelo | MT5M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4 |
| Quantidade de ordem mínima | 1 |
| Preço | Based on current price |
| Detalhes da embalagem | Saco antiestático e caixa de papelão |
| Tempo de entrega | 3-5 dias úteis |
| Termos de pagamento | T/T |
| Habilidade da fonte | Em existência |
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xDetalhes do produto
| Tipo da memória | Temporário | Formato da memória | GOLE |
|---|---|---|---|
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 | Tamanho de memória | 256Mbit |
| Organização da memória | 16M x 16 | Relação da memória | Paralelo |
| Frequência de pulso de disparo | 267 megahertz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 15ns |
| Tempo de acesso | 500 picosegundos | Voltagem - Fornecimento | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 85°C (TC) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem / Caixa | 84-FBGA | Pacote de dispositivos do fornecedor | O número de unidades de comando é igual ou superior a: |
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT47H16M16BG-37E:B TR | IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-3:B TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-37V:B | IC DRAM 256MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E L:B | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E L:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3E:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3E:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E IT:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E L:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E L:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-3E:B | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-5E:B | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-5E:B TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E:B | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-37E:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E:B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-5E:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16CC-3:B TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-3:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H16M16BG-3 IT:B TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-37E:D TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-25E:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-25:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-5E IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-37E IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-3 IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-25E IT:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16BN-5E:D TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA |
Descrição de produto
Detalhes do produto
DDR2 SDRAM
MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 bancosMT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 bancos
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 bancos
Características
• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V• E/S de 1,8 V de acordo com o padrão JEDEC (compatível com SSTL_18)
• Opção de estroboscopia de dados diferencial (DQS, DQS#)
• Arquitetura de prefetch de 4n bits
• Opção de estroboscopia de saída dupla (RDQS) para x8
• DLL para alinhar as transições DQ e DQS com CK
• 8 bancos internos para operação simultânea
• Latência de CAS programável (CL)
• Latência do aditivo CAS (AL) publicada
• LATENÇA DE ESCRITA = LATENÇA DE LECTAÇÃO - 1 tCK
• Comprimentos de explosão selecionáveis (BL): 4 ou 8
• Força do motor de saída de dados ajustável
• 64 ms, 8192 ciclos de atualização
• Terminação no momento da morte (ODT)
• Opção de temperatura industrial (IT)
• Opção de temperatura do automóvel (AT)
• Compatível com a RoHS
• Suporta a especificação JEDEC clock jitter
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | - |
| Embalagem | |
| Embalagem | 84-FBGA |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tensão | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | O número de unidades de comando é igual ou superior a: |
| Capacidade de memória | 256M (16M x 16) |
| Tipo de memória | DDR2 SDRAM |
| Velocidade | 3.75ns |
| Memória de formato | Memória RAM |
Descrições
SDRAM - Memória DDR2 IC 256Mb (16M x 16) Paralela 267MHz 500ps 84-FBGA (8x14)
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