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5962-3829407MXA IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP Renesas Electronics America Inc.

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xDetalhes do produto
Tipo da memória | Temporário | Formato da memória | SRAM |
---|---|---|---|
Tecnologia | SRAM - Assíncrono | Tamanho de memória | 64 Kbits |
Organização da memória | 8K x 8 | Relação da memória | Paralelo |
Frequência de pulso de disparo | - | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | - |
Tempo de acesso | - | Voltagem - Fornecimento | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 125°C (TA) | Tipo de montagem | Através do Buraco |
Embalagem / Caixa | 28-CDIP (0,600", 15.24mm) | Pacote de dispositivos do fornecedor | 28-CDIP |
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
Part Number | Description | |
---|---|---|
5962-3829407MXA | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
5962-8855202XA | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256L70DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256L45DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S55DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S100DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S35DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S55DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S70DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S85DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164L100DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164L35DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164L45DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164L55DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164L85DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
5962-8855204XA | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256L100DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256L25DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256L35DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256L55DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S100DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S70DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S85DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256L85DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S25DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S35DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S45DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164L20DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164L25DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S20DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S25DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S45DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP |
Descrição de produto
Detalhes do produto
Descrição
O AT28C010 é uma memória de leitura somente programável e apagável, de alto desempenho.Fabricado com tecnologia CMOS não volátil avançada da Atmel, o dispositivo oferece tempos de acesso de 120 ns com dissipação de energia de apenas 440 mW. Quando o dispositivo é desmarcado, a corrente de espera CMOS é inferior a 300 μA.
Características
• Tempo de acesso rápido à leitura - 120 ns• Operação automática de escrita de páginas
¢ Endereços internos e bloqueadores de dados para 128 bytes
¢ temporizador de controlo interno
• Tempo de ciclo de escrita rápido
Tempo de ciclo de escrita de página - 10 ms no máximo
Operação de escrita de página de 1 a 128 bytes
• Baixa dissipação de energia
Corrente ativa de 80 mA
Câmera de som
• Proteção de dados de hardware e software
• Análise de dados para detecção de fim de escrita
• Tecnologia CMOS de alta fiabilidade
Endurance: 104 ou 105 ciclos
¢ Conservação dos dados: 10 anos
• Fornecimento único de 5 V ± 10%
• Input e Output compatíveis com CMOS e TTL
• JEDEC aprovado Byte-Wide Pinout
Especificações
Atributo | Atributo Valor |
---|---|
Fabricante | Sistemas de circuitos integrados |
Categoria de produtos | IC de memória |
Série | 5962-38294 |
Tipo | Asíncrono |
Embalagem | Tubos |
Estilo de montagem | Através do Buraco |
Embalagem | 28-CDIP (0,600", 15,24 mm) |
Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Interface | Paralelo |
Fornecimento de tensão | 4.5 V ~ 5.5 V |
Embalagem do produto do fornecedor | 28-CDIP |
Capacidade de memória | 64K (8K x 8) |
Tipo de memória | SRAM - Assíncrona |
Velocidade | - |
Tempo de acesso | 70 ns |
Memória de formato | Memória RAM |
Temperatura máxima de funcionamento | + 125 C |
Intervalo de temperatura de funcionamento | - 55 C. |
Tipo de interface | Paralelo |
Organização | 8 k x 8 |
Parte-#-Aliases | 5962-38294 5962-3829407MXA |
Voltagem de alimentação máxima | 5.5 V |
Voltagem de alimentação-min | 4.5 V |
Embalagem | CDIP-28 |
Componente funcional compatível
Forma, embalagem, componente funcional compatível
Parte do fabricante | Descrição | Fabricante | Comparação |
AS6C6264A-70PIN Memória |
SRAM padrão, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0,600 INCH, compatível com a ROHS, PLASTIC, DIP-28 | Alliance Memory Inc. | 5962-3829407MXA versus AS6C6264A-70PIN |
FT6264L-70DWMLF Memória |
SRAM padrão, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0,600 INCH, compatível com a ROHS, CERAMIC, DIP-28 | Force Technologies Ltd. | 5962-3829407MXA versus FT6264L-70DWMLF |
V62C51864L-70P Memória |
SRAM padrão, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0,600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | Mosel Vitelic Corporation | 5962-3829407MXA versus V62C51864L-70P |
5962-3829407MXA Memória |
SRAM padrão, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 | Motorola Semiconductor Products | 5962-3829407MXA versus 5962-3829407MXA |
AS6C6264A-70PCN Memória |
SRAM padrão, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0,600 INCH, compatível com a ROHS, PLASTIC, DIP-28 | Alliance Memory Inc. | 5962-3829407MXA versus AS6C6264A-70PCN |
FT6264L-70DWMBLF Memória |
SRAM padrão, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0,600 INCH, compatível com a ROHS, CERAMIC, DIP-28 | Force Technologies Ltd. | 5962-3829407MXA vs FT6264L-70DWMBLF |
IMS1630LS-70M Memória |
8KX8 STANDARD SRAM, 70ns, CDIP28, BRASED SIDE, CERÁMICA, DIP-28 | STMicroelectrónica | 5962-3829407MXA versus IMS1630LS-70M |
Descrições
SRAM - Memória assíncrona IC 64Kb (8K x 8) Parallel 28-CerDip
SRAM 64K 8K x 8 SRAM assíncrona
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