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AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALELO 54TFBGA Alliance Memory, Inc.

  • AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA Alliance Memory, Inc.
Marca Alliance Memory, Inc.
Número do modelo AS4C4M16SA-6BIN
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM Tamanho de memória 64Mbit
Organização da memória 4M x 16 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 166 MHz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página -
Tempo de acesso 5,4 ns Voltagem - Fornecimento 3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 54-TFBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 54-TFBGA (8x8)
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Part Number Description
AS4C4M16SA-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BINTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16SA-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BAN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-7BCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BAN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-7BCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-6BAN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-7BCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16SA-6BINTR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C4M16SA-6BANTR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16SA-7BCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16SA-6BANTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-7BCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SA-6BANTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16SB-6BIN IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TFBGA
AS4C16M16S-7BCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16S-7BCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16S-7BCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C8M16S-7BCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16S-6BIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16S-6BIN IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16S-6BIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C16M16S-6BINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
AS4C4M16S-6BINTR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS4C8M16S-6BINTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
MT48LC16M16A2F4-6A:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC16M16A2F4-6A IT:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC16M16A2F4-6A:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Alliance Memory, Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Tipo SDRAM
Embalagem Caixa
Estilo de montagem SMD/SMT
Embalagem 54-TFBGA
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 3 V ~ 3,6 V
Embalagem do produto do fornecedor 54-TFBGA (8x8)
Capacidade de memória 64M (4M x 16)
Tipo de memória SDRAM
Velocidade 166 MHz
Tempo de acesso 5.4 ns
Memória de formato Memória RAM
Temperatura máxima de funcionamento + 85 C
Intervalo de temperatura de funcionamento - 40 C.
Organização 4 M x 16
Suporte-corrente-máximo 50 mA
Largura do Data-Bus 16 bits
Voltagem de alimentação máxima 3.6 V
Voltagem de alimentação-min 3 V
Embalagem TFBGA-54
Frequência máxima do relógio 166 MHz

Descrições

Memória SDRAM IC 64 Mb (4M x 16) Paralela 166MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
DRAM
Etiquetas:

Memória Flash estável IC

Memória Flash IC não temporário

Memória Flash IC de SPI