DS1270Y-70# IC NVSRAM 16MBIT PARALELO 36EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrado

Marca Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Número do modelo DS1270Y-70#
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
Habilidade da fonte Em existência

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Detalhes do produto
Tipo da memória Permanente Formato da memória NVSRAM
Tecnologia NVSRAM (SRAM permanente) Tamanho de memória 16Mbit
Organização da memória 2M x 8 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo - Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 70ns
Tempo de acesso 70 ns Voltagem - Fornecimento 4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo de montagem Através do Buraco
Embalagem / Caixa Módulo DIP de 36 polegadas (0,610", 15,49 mm) Pacote de dispositivos do fornecedor 36-EDIP
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Part Number Description
DS1270Y-70# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265Y-70+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265AB-100+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265Y-70IND+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265AB-70IND+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270Y-70IND# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270AB-100# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265Y-100 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265AB-100 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265W-150 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265W-100 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265AB-70 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265Y-70 IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265Y-70IND IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265AB-70IND IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270Y-100 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270W-150 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270AB-100 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270AB-70 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270Y-70 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270W-100 IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270AB-70IND IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270Y-70IND IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265W-100IND IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270W-100IND IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265W-100IND+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270AB-70# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270W-100IND# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270W-100# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270W-150# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270Y-100# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265W-100+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265AB-70+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1270AB-70IND# IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
DS1265W-150+ IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição

As SRAMs DS1270 16M não voláteis são 16,777SRAMs não voláteis totalmente estáticas de 216 bits organizadas em 2,097Cada NV SRAM possui uma fonte de energia de lítio e um circuito de controlo que monitora constantemente o VCC para uma condição fora de tolerância.A fonte de energia de lítio é ligada automaticamente e a proteção de gravação é ativada incondicionalmente para evitar a corrupção de dados.Não há limite no número de ciclos de gravação que podem ser executados e não são necessários circuitos de suporte adicionais para a interfaça do microprocessador.

Características

5 anos de conservação mínima dos dados na ausência de energia externa
Os dados são automaticamente protegidos durante a perda de energia
Ciclos de gravação ilimitados
Função CMOS de baixa potência
Tempo de acesso de leitura e gravação de até 70 ns
A fonte de energia de lítio é desconectada eletricamente para manter a frescura até que a energia seja aplicada pela primeira vez
Intervalo de funcionamento VCC total ± 10% (DS1270Y)
Intervalo de funcionamento VCC opcional de ±5% (DS1270AB)
Intervalo opcional de temperaturas industriais de -40°C a +85°C, designado IND

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Maxim Integrado
Categoria de produtos IC de memória
Série DS1270Y
Embalagem Tubos
Estilo de montagem Através do Buraco
Intervalo de temperatura de funcionamento - 40°C a + 85°C
Embalagem Módulo DIP de 36 pulgadas (0,600", 15,24 mm)
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 4.5 V ~ 5.5 V
Embalagem do produto do fornecedor 36-EDIP
Capacidade de memória 16M (2M x 8)
Tipo de memória NVSRAM (SRAM não volátil)
Velocidade 70 ns
Tempo de acesso 70 ns
Memória de formato Memória RAM
Temperatura máxima de funcionamento + 85 C
Intervalo de temperatura de funcionamento - 40 C.
Corrente de abastecimento operacional 85 mA
Parte-#-Aliases 90-1270Y#070 DS1270Y
Largura do Data-Bus 8 bits
Voltagem de alimentação máxima 5.25 V
Voltagem de alimentação-min 4.75 V
Embalagem EDIP-36

Descrições

NVSRAM (SRAM não volátil) Memória IC 16Mb (2M x 8) Paralela 70ns 36-EDIP
NVRAM 16M NV SRAM