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DS1270Y-70# IC NVSRAM 16MBIT PARALELO 36EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrado
| Marca | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
|---|---|
| Número do modelo | DS1270Y-70# |
| Quantidade de ordem mínima | 1 |
| Preço | Based on current price |
| Detalhes da embalagem | Saco antiestático e caixa de papelão |
| Tempo de entrega | 3-5 dias úteis |
| Termos de pagamento | T/T |
| Habilidade da fonte | Em existência |
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xDetalhes do produto
| Tipo da memória | Permanente | Formato da memória | NVSRAM |
|---|---|---|---|
| Tecnologia | NVSRAM (SRAM permanente) | Tamanho de memória | 16Mbit |
| Organização da memória | 2M x 8 | Relação da memória | Paralelo |
| Frequência de pulso de disparo | - | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 70ns |
| Tempo de acesso | 70 ns | Voltagem - Fornecimento | 4.5V ~ 5.5V |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo de montagem | Através do Buraco |
| Embalagem / Caixa | Módulo DIP de 36 polegadas (0,610", 15,49 mm) | Pacote de dispositivos do fornecedor | 36-EDIP |
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| DS1270Y-70# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265Y-70+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265AB-100+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265Y-70IND+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265AB-70IND+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270Y-70IND# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270AB-100# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265Y-100 | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265AB-100 | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265W-150 | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265W-100 | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265AB-70 | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265Y-70 | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265Y-70IND | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265AB-70IND | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270Y-100 | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270W-150 | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270AB-100 | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270AB-70 | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270Y-70 | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270W-100 | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270AB-70IND | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270Y-70IND | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265W-100IND | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270W-100IND | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265W-100IND+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270AB-70# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270W-100IND# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270W-100# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270W-150# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270Y-100# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265W-100+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265AB-70+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1270AB-70IND# | IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP | |
| DS1265W-150+ | IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP |
Descrição de produto
Detalhes do produto
Descrição
As SRAMs DS1270 16M não voláteis são 16,777SRAMs não voláteis totalmente estáticas de 216 bits organizadas em 2,097Cada NV SRAM possui uma fonte de energia de lítio e um circuito de controlo que monitora constantemente o VCC para uma condição fora de tolerância.A fonte de energia de lítio é ligada automaticamente e a proteção de gravação é ativada incondicionalmente para evitar a corrupção de dados.Não há limite no número de ciclos de gravação que podem ser executados e não são necessários circuitos de suporte adicionais para a interfaça do microprocessador.
Características
5 anos de conservação mínima dos dados na ausência de energia externaOs dados são automaticamente protegidos durante a perda de energia
Ciclos de gravação ilimitados
Função CMOS de baixa potência
Tempo de acesso de leitura e gravação de até 70 ns
A fonte de energia de lítio é desconectada eletricamente para manter a frescura até que a energia seja aplicada pela primeira vez
Intervalo de funcionamento VCC total ± 10% (DS1270Y)
Intervalo de funcionamento VCC opcional de ±5% (DS1270AB)
Intervalo opcional de temperaturas industriais de -40°C a +85°C, designado IND
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Maxim Integrado |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | DS1270Y |
| Embalagem | Tubos |
| Estilo de montagem | Através do Buraco |
| Intervalo de temperatura de funcionamento | - 40°C a + 85°C |
| Embalagem | Módulo DIP de 36 pulgadas (0,600", 15,24 mm) |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tensão | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | 36-EDIP |
| Capacidade de memória | 16M (2M x 8) |
| Tipo de memória | NVSRAM (SRAM não volátil) |
| Velocidade | 70 ns |
| Tempo de acesso | 70 ns |
| Memória de formato | Memória RAM |
| Temperatura máxima de funcionamento | + 85 C |
| Intervalo de temperatura de funcionamento | - 40 C. |
| Corrente de abastecimento operacional | 85 mA |
| Parte-#-Aliases | 90-1270Y#070 DS1270Y |
| Largura do Data-Bus | 8 bits |
| Voltagem de alimentação máxima | 5.25 V |
| Voltagem de alimentação-min | 4.75 V |
| Embalagem | EDIP-36 |
Descrições
NVSRAM (SRAM não volátil) Memória IC 16Mb (2M x 8) Paralela 70ns 36-EDIP
NVRAM 16M NV SRAM
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