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MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.
| Marca | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Número do modelo | MT46H16M32LFCM-6 TR |
| Quantidade de ordem mínima | 1 |
| Preço | Based on current price |
| Detalhes da embalagem | Saco antiestático e caixa de papelão |
| Tempo de entrega | 3-5 dias úteis |
| Termos de pagamento | T/T |
| Habilidade da fonte | Em existência |
Contacte-me para amostras grátis e vales.
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xDetalhes do produto
| Tipo da memória | Temporário | Formato da memória | GOLE |
|---|---|---|---|
| Tecnologia | SDRAM - LPDDR móvel | Tamanho de memória | 512Mbit |
| Organização da memória | 16M x 32 | Relação da memória | Paralelo |
| Frequência de pulso de disparo | 166 MHz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 15ns |
| Tempo de acesso | 5 ns | Voltagem - Fornecimento | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem / Caixa | 90-VFBGA | Pacote de dispositivos do fornecedor | 90 VFBGA (10x13) |
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT46H16M32LFCM-6 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 IT TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-75 IT | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 L IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5 IT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5 IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 L IT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 L IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 L IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H64M32LFCM-5 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H64M32LFCM-6 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA |
Descrição de produto
Detalhes do produto
SDRAM DDR de baixa potência móvel
Características
• VDD/VDDQ = 1,701,95 V• Strobo de dados bidirecionais por byte de dados (DQS)
• Arquitetura interna de dupla taxa de dados (DDR) por conduta; dois acessos de dados por ciclo de relógio
• Entradas de relógio diferencial (CK e CK#)
• Os comandos inseridos em cada borda CK positiva
• DQS alinhado em bordas com dados para READs; centro alinhado com dados para WRITEs
• 4 bancos internos para operação simultânea
• Máscaras de dados (DM) para mascarar dados de gravação; uma máscara por byte
• Comprimentos de rajadas programáveis (BL): 2, 4, 8 ou 16
• Opção de pré-carregamento automático simultâneo é suportada
• Modo de atualização automática e auto-actualização
• Entrada compatível com LVCMOS de 1,8 V
• Auto-refrescamento compensado por temperatura (TCSR)
• Auto-refrescamento de matriz parcial (PASR)
• Desligamento profundo (DPD)
• Registo de leitura de estado (SRR)
• Força de acionamento de saída selecionável (DS)
• Capacidade de parar o relógio
• 64ms de atualização, 32ms para a temperatura do automóvel
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | - |
| Embalagem | |
| Embalagem | 90 VFBGA |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tensão | 10,7 V ~ 1,95 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | 90 VFBGA (10x13) |
| Capacidade de memória | 512M (16M x 32) |
| Tipo de memória | SDRAM LPDDR móvel |
| Velocidade | 166 MHz |
| Memória de formato | Memória RAM |
Descrições
SDRAM - Memória LPDDR móvel IC 512Mb (16M x 32) Paralela 166MHz 5.0ns 90-VFBGA (10x13)
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