MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.

Marca Micron Technology Inc.
Número do modelo MT46H16M32LFCM-6 TR
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
Habilidade da fonte Em existência

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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM - LPDDR móvel Tamanho de memória 512Mbit
Organização da memória 16M x 32 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 166 MHz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 15ns
Tempo de acesso 5 ns Voltagem - Fornecimento 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 90-VFBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 90 VFBGA (10x13)
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Part Number Description
MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFCM-6 IT TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32LFCM-75:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H32M32LFCM-6 IT:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT46H32M32LFCM-6:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT46H16M32LFCM-5:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFCM-6:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H32M32LFCM-5:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32LFCM-75:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32LFCM-6:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFCM-75 IT IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFCM-5 IT:B IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFCM-6 L IT:B IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFCX-5 IT:B IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFCX-5 IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFCX-5:B IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFCX-5:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFCX-6 IT:B IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFCX-6:B IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H16M32LFCX-6:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H32M32LFCM-5 IT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT46H32M32LFCM-5 IT:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT46H32M32LFCM-6 L IT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT46H32M32LFCM-6 L IT:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT48H16M32LFCM-6 IT:B IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32LFCM-6 L IT:B IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H64M32LFCM-5 IT:A IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA
MT46H64M32LFCM-6 IT:A IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

SDRAM DDR de baixa potência móvel

Características

• VDD/VDDQ = 1,70­1,95 V
• Strobo de dados bidirecionais por byte de dados (DQS)
• Arquitetura interna de dupla taxa de dados (DDR) por conduta; dois acessos de dados por ciclo de relógio
• Entradas de relógio diferencial (CK e CK#)
• Os comandos inseridos em cada borda CK positiva
• DQS alinhado em bordas com dados para READs; centro alinhado com dados para WRITEs
• 4 bancos internos para operação simultânea
• Máscaras de dados (DM) para mascarar dados de gravação; uma máscara por byte
• Comprimentos de rajadas programáveis (BL): 2, 4, 8 ou 16
• Opção de pré-carregamento automático simultâneo é suportada
• Modo de atualização automática e auto-actualização
• Entrada compatível com LVCMOS de 1,8 V
• Auto-refrescamento compensado por temperatura (TCSR)
• Auto-refrescamento de matriz parcial (PASR)
• Desligamento profundo (DPD)
• Registo de leitura de estado (SRR)
• Força de acionamento de saída selecionável (DS)
• Capacidade de parar o relógio
• 64ms de atualização, 32ms para a temperatura do automóvel

Especificações

AtributoAtributo Valor
FabricanteMicron Technology Inc.
Categoria de produtosIC de memória
Série-
Embalagem
Embalagem90 VFBGA
Temperatura de funcionamento0°C ~ 70°C (TA)
InterfaceParalelo
Fornecimento de tensão10,7 V ~ 1,95 V
Embalagem do produto do fornecedor90 VFBGA (10x13)
Capacidade de memória512M (16M x 32)
Tipo de memóriaSDRAM LPDDR móvel
Velocidade166 MHz
Memória de formatoMemória RAM

Descrições

SDRAM - Memória LPDDR móvel IC 512Mb (16M x 32) Paralela 166MHz 5.0ns 90-VFBGA (10x13)