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MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALELO 40TSOP I Micron Technology Inc.

  • MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I Micron Technology Inc.
Marca Micron Technology Inc.
Número do modelo MT2M4M4M4M4M4M4M4M4
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
Habilidade da fonte Em existência

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Detalhes do produto
Tipo da memória Permanente Formato da memória FLASH
Tecnologia FLASH - NEM Tamanho de memória 4Mbit
Organização da memória 512K x 8 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo - Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 80ns
Tempo de acesso 80 ns Voltagem - Fornecimento 3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 40-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) Pacote de dispositivos do fornecedor 40-TSOP I
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Part Number Description
MT28F004B3VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 B TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 BET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 BET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 T TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 TET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B3VG-8 TET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 B TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 BET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 BET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 T TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 TET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VG-8 TET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VP-8 T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F004B5VP-8 T TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 B IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 B TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 BET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 BET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 T TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 TET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VG-9 TET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VP-9 B IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B3VP-9 B TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 B IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 B TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 BET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 BET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 T TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 TET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
MT28F008B5VG-8 TET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP I
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição geral

Os MT28F004B3 (x8) e MT28F400B3 (x16/x8) são dispositivos de memória programáveis não voláteis, apagáveis por bloqueio (flash), contendo 4,194A gravação ou eliminação do dispositivo é feita com uma tensão de 3.3V ou 5V VPP, enquanto todas as operações são realizadas com uma 3.3V VCCDevido aos avanços da tecnologia de processo, o VPP 5V é ideal para aplicação e programação de produção.
O MT28F004B3 e o MT28F400B3 estão organizados em sete blocos apagáveis separadamente.Os dispositivos possuem um bloco de arranque protegido por hardware. Escrever ou apagar o bloco de inicialização requer aplicar uma supervoltagem ao pin RP# ou dirigir o WP# HIGH, além de executar as sequências normais de gravação ou apagamento.Este bloco pode ser utilizado para armazenar código implementado na recuperação do sistema de baixo nívelOs blocos restantes variam em densidade e são escritos e apagados sem medidas de segurança adicionais.

Características

• Sete blocos de apagamento:
Bloco de arranque de palavras de 16KB/8K (protegido)
Dois blocos de parâmetros de palavras de 8KB/4K
Quatro blocos de memória principais
• Tecnologia Smart 3 (B3):
3.3V ± 0,3V VCC
3.3V ± 0,3V Programação de aplicações VPP
5V ± 10% VPP aplicação/programação de produção1
• Compatível com dispositivos Smart 3 de 0,3 μm
• Processo CMOS de porta flutuante de 0,18 μm avançado
• Tempo de acesso ao endereço: 80 ns
• 100 000 ciclos de ERASE
• Pinouts padrão da indústria
• As entradas e saídas são totalmente compatíveis com o TTL
• Algoritmo automatizado de gravação e apagamento
• Sequência WRITE/ERASE de dois ciclos
• LEIA e ESCREVA em byte ou palavra
(MT28F400B3, 256K x 16/512K x 8)
• Somente leitura e escrita em todo o byte
(MT28F004B3, 512K x 8)
• Opções de embalagem TSOP e SOP

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Caixa
Embalagem 40-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura)
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 3 V ~ 3,6 V
Embalagem do produto do fornecedor 40-TSOP I
Capacidade de memória 4M (512K x 8)
Tipo de memória FLASH - NÃO
Velocidade 80 ns
Memória de formato Flash

Descrições

Flash - NOR Memória IC 4Mb (512K x 8) Paralelo 80ns 40-TSOP I
Etiquetas:

Memória Flash estável IC

Memória Flash IC não temporário

Memória Flash IC de SPI