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CYDM256B16-55BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA Tecnologias Infineon

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xTipo da memória | Temporário | Formato da memória | SRAM |
---|---|---|---|
Tecnologia | SRAM - Dual Port, MoBL | Tamanho de memória | 256Kbit |
Organização da memória | 16K x 16 | Relação da memória | Paralelo |
Frequência de pulso de disparo | - | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55 ns | Voltagem - Fornecimento | 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Embalagem / Caixa | 100-VFBGA | Pacote de dispositivos do fornecedor | 100-VFBGA (6x6) |
Part Number | Description | |
---|---|---|
CYDM256B16-55BVXI | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDM128B16-55BVXIT | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDM064B08-55BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
CYDM064B16-55BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
CYDMX064A16-65BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
CYDMX064A16-90BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
CYDMX064B16-65BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
CYDMX128A16-90BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDM128B16-55BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDMX128B16-65BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDMX256A16-65BVXI | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDMX256A16-90BVXI | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDMX128A16-65BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDM064B16-55BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
CYDM128B16-55BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDM064B08-40BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
CYDM064B08-55BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
CYDM064B16-40BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
CYDM064B16-40BVXIT | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
CYDM064B16-55BVXIT | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
CYDM128B08-40BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDM128B08-55BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDM128B16-40BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDM128B16-40BVXIT | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDM128B16-55BVXIT | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDM256B16-40BVXI | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDM256B16-40BVXIT | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDM256B16-55BVXIT | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDMX064A16-65BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
CYDMX064A16-90BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
CYDMX128A16-65BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDMX128A16-65BVXIT | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDMX128A16-90BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDMX256A16-65BVXI | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDMX256A16-90BVXI | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDMX128B16-65BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
CYDMX064B16-65BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA |
Detalhes do produto
Resistores de precisão por eixo com chumbo
A gama Holco de resistores de película metálica de precisão atende à exigência de componentes de preço económico para aplicações industriais e militares.A instalação de fabrico utiliza processos de produção rigorosamente controlados, incluindo o revestimento por pulverização de películas de liga metálica em substratos cerâmicos.O material é revestido com uma camada de epóxi para proteção ambiental e mecânica.Comercialmente, a série está disponível em dois tamanhos de caixa, de 1 ohm a 4M ohms, tolerâncias de 0,05% a 1% e TCRs de 5ppm/°C a 100ppm/°C. Oferecido com liberação para BS CECC 40101 004, 030 e 804, o H8 está disponível através da distribuição.
Características fundamentais
■ Ultraprecisão - até 0,05%■ Os conjuntos correspondentes estão disponíveis até 2 ppm/°C
■ Resiste a pulsos elevados
■ Baixa reatividade
■ TCR baixo - até 5 ppm/°C
■ Estabilidade a longo prazo
■ Até 1 Watt a 70°C
■ Publicação ao CECC 40101 004, 030 e 804
Especificações
Atributo | Atributo Valor |
---|---|
Fabricante | Semicondutor de cipreste |
Categoria de produtos | IC de memória |
Série | CYDM256B16 |
Tipo | Asíncrono |
Embalagem | Embalagens alternativas de bandeja |
Estilo de montagem | SMD/SMT |
Nome comercial | MoBL |
Embalagem | 100 VFBGA |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Interface | Paralelo |
Fornecimento de tensão | 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 2.7 V ~ 3.3 V |
Embalagem do produto do fornecedor | 100 VFBGA (6x6) |
Capacidade de memória | 256K (16K x 16) |
Tipo de memória | SRAM - Dual Port, MoBL |
Velocidade | 55 ns |
Taxa de dados | DEG |
Tempo de acesso | 55 ns |
Memória de formato | Memória RAM |
Temperatura máxima de funcionamento | + 85 C |
Intervalo de temperatura de funcionamento | - 40 C. |
Tipo de interface | Paralelo |
Organização | 16 k x 16 |
Suporte-corrente-máximo | 25 mA |
Voltagem de alimentação máxima | 1.9 V |
Voltagem de alimentação-min | 1.7 V |
Embalagem | BGA-100 |
Componente funcional compatível
Forma, embalagem, componente funcional compatível
Parte do fabricante | Descrição | Fabricante | Comparação |
IDT70P9268L50BZG Memória |
SRAM de duas portas, 16KX16, 10ns, PBGA100, GREEN, FPBGA-100 | Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. | CYDM256B16-55BVXI versus IDT70P9268L50BZG |
CYDMX256B16-65BVXI Memória |
SRAM de duas portas, 16KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM de altura, 0,50 MM de altura, livre de chumbo, MO-195C, VFBGA-100 | Semicondutor de cipreste | CYDM256B16-55BVXI versus CYDMX256B16-65BVXI |
CYDMX256A16-65BVXI Memória |
SRAM de duas portas, 16KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM de altura, 0,50 MM de altura, livre de chumbo, MO-195C, VFBGA-100 | Semicondutor de cipreste | CYDM256B16-55BVXI vs CYDMX256A16-65BVXI |
CYDM256B16-55BVXIT Memória |
Multiportação SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM de altura, 0,50 MM de altura, livre de chumbo, MO-195C, VFBGA-100 | Semicondutor de cipreste | CYDM256B16-55BVXI versus CYDM256B16-55BVXIT |
IDT70P926850BZGI Memória |
SRAM de duas portas, 16KX16, 12ns, CMOS, PBGA100, GREEN, FPBGA-100 | Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. | CYDM256B16-55BVXI vs IDT70P926850BZGI |
IDT70P926850BZG Memória |
SRAM de duas portas, 16KX16, 12ns, CMOS, PBGA100, GREEN, FPBGA-100 | Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. | CYDM256B16-55BVXI vs IDT70P926850BZG |
CYDM256B16-55BVXC Memória |
16KX16 DUAL-PORT SRAM, 55ns, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0,50 MM PITCH, livre de chumbo, MO-195C, VFBGA-100 | Rochester Electronics LLC | CYDM256B16-55BVXI versus CYDM256B16-55BVXC |
70P265L90BYGI Memória |
SRAM de duas portas, 16KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0,5 MM PITCH, GREEN, BGA-100 | Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. | CYDM256B16-55BVXI versus 70P265L90BYGI |
IDT70P9268L50BZGI Memória |
SRAM de duas portas, 16KX16, 10ns, PBGA100, GREEN, FPBGA-100 | Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. | CYDM256B16-55BVXI vs IDT70P9268L50BZGI |
70P265L90BYGI8 Memória |
Dual-Port SRAM, 16KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0,50 MM PITCH, GREEN, BGA-100 | Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. | CYDM256B16-55BVXI versus 70P265L90BYGI8 |