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CYDM256B16-55BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA Tecnologias Infineon

  • CYDM256B16-55BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA Infineon Technologies
Marca Infineon Technologies
Número do modelo CYDM256B16-55BVXI
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
Habilidade da fonte Em existência

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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória SRAM
Tecnologia SRAM - Dual Port, MoBL Tamanho de memória 256Kbit
Organização da memória 16K x 16 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo - Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 55ns
Tempo de acesso 55 ns Voltagem - Fornecimento 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 100-VFBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 100-VFBGA (6x6)
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Part Number Description
CYDM256B16-55BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDM128B16-55BVXIT IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM064B08-55BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM064B16-55BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDMX064A16-65BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDMX064A16-90BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDMX064B16-65BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDMX128A16-90BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM128B16-55BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX128B16-65BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX256A16-65BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX256A16-90BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX128A16-65BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM064B16-55BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM128B16-55BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM064B08-40BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM064B08-55BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM064B16-40BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM064B16-40BVXIT IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM064B16-55BVXIT IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDM128B08-40BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM128B08-55BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM128B16-40BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM128B16-40BVXIT IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM128B16-55BVXIT IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDM256B16-40BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDM256B16-40BVXIT IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDM256B16-55BVXIT IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX064A16-65BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDMX064A16-90BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
CYDMX128A16-65BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX128A16-65BVXIT IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX128A16-90BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX256A16-65BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX256A16-90BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX128B16-65BVXI IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA
CYDMX064B16-65BVXI IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Resistores de precisão por eixo com chumbo

A gama Holco de resistores de película metálica de precisão atende à exigência de componentes de preço económico para aplicações industriais e militares.A instalação de fabrico utiliza processos de produção rigorosamente controlados, incluindo o revestimento por pulverização de películas de liga metálica em substratos cerâmicos.O material é revestido com uma camada de epóxi para proteção ambiental e mecânica.Comercialmente, a série está disponível em dois tamanhos de caixa, de 1 ohm a 4M ohms, tolerâncias de 0,05% a 1% e TCRs de 5ppm/°C a 100ppm/°C. Oferecido com liberação para BS CECC 40101 004, 030 e 804, o H8 está disponível através da distribuição.

Características fundamentais

■ Ultraprecisão - até 0,05%
■ Os conjuntos correspondentes estão disponíveis até 2 ppm/°C
■ Resiste a pulsos elevados
■ Baixa reatividade
■ TCR baixo - até 5 ppm/°C
■ Estabilidade a longo prazo
■ Até 1 Watt a 70°C
■ Publicação ao CECC 40101 004, 030 e 804

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Semicondutor de cipreste
Categoria de produtos IC de memória
Série CYDM256B16
Tipo Asíncrono
Embalagem Embalagens alternativas de bandeja
Estilo de montagem SMD/SMT
Nome comercial MoBL
Embalagem 100 VFBGA
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 2.7 V ~ 3.3 V
Embalagem do produto do fornecedor 100 VFBGA (6x6)
Capacidade de memória 256K (16K x 16)
Tipo de memória SRAM - Dual Port, MoBL
Velocidade 55 ns
Taxa de dados DEG
Tempo de acesso 55 ns
Memória de formato Memória RAM
Temperatura máxima de funcionamento + 85 C
Intervalo de temperatura de funcionamento - 40 C.
Tipo de interface Paralelo
Organização 16 k x 16
Suporte-corrente-máximo 25 mA
Voltagem de alimentação máxima 1.9 V
Voltagem de alimentação-min 1.7 V
Embalagem BGA-100

Componente funcional compatível

Forma, embalagem, componente funcional compatível

Parte do fabricante Descrição Fabricante Comparação
IDT70P9268L50BZG
Memória		 SRAM de duas portas, 16KX16, 10ns, PBGA100, GREEN, FPBGA-100 Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. CYDM256B16-55BVXI versus IDT70P9268L50BZG
CYDMX256B16-65BVXI
Memória		 SRAM de duas portas, 16KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM de altura, 0,50 MM de altura, livre de chumbo, MO-195C, VFBGA-100 Semicondutor de cipreste CYDM256B16-55BVXI versus CYDMX256B16-65BVXI
CYDMX256A16-65BVXI
Memória		 SRAM de duas portas, 16KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM de altura, 0,50 MM de altura, livre de chumbo, MO-195C, VFBGA-100 Semicondutor de cipreste CYDM256B16-55BVXI vs CYDMX256A16-65BVXI
CYDM256B16-55BVXIT
Memória		 Multiportação SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM de altura, 0,50 MM de altura, livre de chumbo, MO-195C, VFBGA-100 Semicondutor de cipreste CYDM256B16-55BVXI versus CYDM256B16-55BVXIT
IDT70P926850BZGI
Memória		 SRAM de duas portas, 16KX16, 12ns, CMOS, PBGA100, GREEN, FPBGA-100 Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. CYDM256B16-55BVXI vs IDT70P926850BZGI
IDT70P926850BZG
Memória		 SRAM de duas portas, 16KX16, 12ns, CMOS, PBGA100, GREEN, FPBGA-100 Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. CYDM256B16-55BVXI vs IDT70P926850BZG
CYDM256B16-55BVXC
Memória		 16KX16 DUAL-PORT SRAM, 55ns, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0,50 MM PITCH, livre de chumbo, MO-195C, VFBGA-100 Rochester Electronics LLC CYDM256B16-55BVXI versus CYDM256B16-55BVXC
70P265L90BYGI
Memória		 SRAM de duas portas, 16KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0,5 MM PITCH, GREEN, BGA-100 Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. CYDM256B16-55BVXI versus 70P265L90BYGI
IDT70P9268L50BZGI
Memória		 SRAM de duas portas, 16KX16, 10ns, PBGA100, GREEN, FPBGA-100 Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. CYDM256B16-55BVXI vs IDT70P9268L50BZGI
70P265L90BYGI8
Memória		 Dual-Port SRAM, 16KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0,50 MM PITCH, GREEN, BGA-100 Tecnologia de Dispositivos Integrados Inc. CYDM256B16-55BVXI versus 70P265L90BYGI8

Descrições

SRAM - Dual Port, MoBL Memória IC 256Kb (16K x 16) Paralela 55ns 100-VFBGA (6x6)
SRAM Chip Async Dual 1.8V 256K-Bit 16K x 16 55ns 100 pin VFBGA Tray
SRAM 256K 16Kx16 MoBL Dual Port IND
Etiquetas:

Memória Flash estável IC

Memória Flash IC não temporário

Memória Flash IC de SPI