AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64 MBIT PAR 86TSOP II Alliance Memory, Inc.

Marca Alliance Memory, Inc.
Número do modelo AS4C2M32SA-6TCN
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
Habilidade da fonte Em existência

Contacte-me para amostras grátis e vales.

Whatsapp:0086 18588475571

bate-papo: 0086 18588475571

skype: sales10@aixton.com

Se você tem algum interesse, nós fornecemos a ajuda online de 24 horas.

x
Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM Tamanho de memória 64Mbit
Organização da memória 2M x 32 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 166 MHz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 2ns
Tempo de acesso 5,5 ns Voltagem - Fornecimento 3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 86-TFSOP (0,400", largura de 10.16mm) Pacote de dispositivos do fornecedor 86-TSOP II
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
Part Number Description
AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-7TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C16M32SC-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-6TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-7TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-7TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-7TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-6TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C16M32SC-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-7TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-7TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-7TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-7TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-5TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-5TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6A IT:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6A:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-6A IT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-6A:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
Deixe um recado
Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição funcional

O AS4C256K16E0 é uma memória de acesso aleatório dinâmico CMOS (DRAM) de 4 megabit de alto desempenho organizada em 262.144 palavras por 16 bits.O AS4C256K16E0 é fabricado com tecnologia CMOS avançada e projetado com técnicas de design inovadoras que resultam em alta velocidade, extremamente baixa potência e largas margens de funcionamento a nível dos componentes e dos sistemas.

Características

• Organização: 262.144 palavras × 16 bits
• Alta velocidade
- Tempo de acesso ao RAS de 30/35/50 ns
- 16/18/25 ns tempo de acesso ao endereço da coluna
- 7/10/10/10 ns Tempo de acesso ao CAS
• Baixo consumo de energia
- Ativos: 500 mW max (AS4C256K16E0-25)
- Standby: 3,6 mW max, CMOS I/O (AS4C256K16E0-25)
• Modo de página EDO
• Refrescar
- 512 ciclos de actualização, intervalo de actualização de 8 ms
- Reaproveitamento somente do RAS ou do CAS antes do RAS ou autoaproveitamento
- A opção de auto-refresh está disponível apenas para dispositivos de nova geração.
• Leitura-modificação-escrita
• Compatível com TTL, E/S de três estados
• Pacotes padrão JEDEC
- 400 mil, 40 pinos SOJ
- 400 mil, 40/44 pin TSOP II
• Fornecimento de energia de 5 V
• Corrente de retenção > 200 mA

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Alliance Memory, Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Caixa
Embalagem 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm de largura)
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 3 V ~ 3,6 V
Embalagem do produto do fornecedor 86-TSOP II
Capacidade de memória 64M (2M x 32)
Tipo de memória SDRAM
Velocidade 166 MHz
Memória de formato Memória RAM

Descrições

Memória SDRAM IC 64 Mb (2M x 32) Paralelo 166MHz 5.5ns 86-TSOP II
SDRAM, 64M,3.3V 166MHz, 2M x 32