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AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64 MBIT PAR 86TSOP II Alliance Memory, Inc.
| Marca | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|
| Número do modelo | AS4C2M32SA-6TCN |
| Quantidade de ordem mínima | 1 |
| Preço | Based on current price |
| Detalhes da embalagem | Saco antiestático e caixa de papelão |
| Tempo de entrega | 3-5 dias úteis |
| Termos de pagamento | T/T |
| Habilidade da fonte | Em existência |
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xDetalhes do produto
| Tipo da memória | Temporário | Formato da memória | GOLE |
|---|---|---|---|
| Tecnologia | SDRAM | Tamanho de memória | 64Mbit |
| Organização da memória | 2M x 32 | Relação da memória | Paralelo |
| Frequência de pulso de disparo | 166 MHz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 2ns |
| Tempo de acesso | 5,5 ns | Voltagem - Fornecimento | 3 V ~ 3,6 V |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem / Caixa | 86-TFSOP (0,400", largura de 10.16mm) | Pacote de dispositivos do fornecedor | 86-TSOP II |
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| AS4C2M32SA-6TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-7TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TIN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C16M32SC-7TIN | IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-6TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-7TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-7TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-7TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-6TINTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-6TIN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-7TCNTR | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-6TINTR | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-7TCN | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-6TIN | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C16M32SC-7TINTR | IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-7TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-7TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-7TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-7TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TIN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TIN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-5TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TINTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-5TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC2M32B2TG-6A IT:J | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC2M32B2TG-6A:J | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC4M32B2TG-6A IT:L | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC4M32B2TG-6A:L | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II |
Descrição de produto
Detalhes do produto
Descrição funcional
O AS4C256K16E0 é uma memória de acesso aleatório dinâmico CMOS (DRAM) de 4 megabit de alto desempenho organizada em 262.144 palavras por 16 bits.O AS4C256K16E0 é fabricado com tecnologia CMOS avançada e projetado com técnicas de design inovadoras que resultam em alta velocidade, extremamente baixa potência e largas margens de funcionamento a nível dos componentes e dos sistemas.
Características
• Organização: 262.144 palavras × 16 bits• Alta velocidade
- Tempo de acesso ao RAS de 30/35/50 ns
- 16/18/25 ns tempo de acesso ao endereço da coluna
- 7/10/10/10 ns Tempo de acesso ao CAS
• Baixo consumo de energia
- Ativos: 500 mW max (AS4C256K16E0-25)
- Standby: 3,6 mW max, CMOS I/O (AS4C256K16E0-25)
• Modo de página EDO
• Refrescar
- 512 ciclos de actualização, intervalo de actualização de 8 ms
- Reaproveitamento somente do RAS ou do CAS antes do RAS ou autoaproveitamento
- A opção de auto-refresh está disponível apenas para dispositivos de nova geração.
• Leitura-modificação-escrita
• Compatível com TTL, E/S de três estados
• Pacotes padrão JEDEC
- 400 mil, 40 pinos SOJ
- 400 mil, 40/44 pin TSOP II
• Fornecimento de energia de 5 V
• Corrente de retenção > 200 mA
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Alliance Memory, Inc. |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | - |
| Embalagem | Caixa |
| Embalagem | 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm de largura) |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tensão | 3 V ~ 3,6 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | 86-TSOP II |
| Capacidade de memória | 64M (2M x 32) |
| Tipo de memória | SDRAM |
| Velocidade | 166 MHz |
| Memória de formato | Memória RAM |
Descrições
Memória SDRAM IC 64 Mb (2M x 32) Paralelo 166MHz 5.5ns 86-TSOP II
SDRAM, 64M,3.3V 166MHz, 2M x 32
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