MT29F512G08CKCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA Micron Technology Inc.

Marca Micron Technology Inc.
Número do modelo MT29F512G08CKCABH7-6:A TR
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
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Detalhes do produto
Tipo da memória Permanente Formato da memória FLASH
Tecnologia FLASH - NAND (MLC) Tamanho de memória 512Gbit
Organização da memória 64G x 8 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 166 MHz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página -
Tempo de acesso - Voltagem - Fornecimento 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 152-TBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 152-TBGA (14x18)
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Part Number Description
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCABH7-6:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCABH7-6R:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCABH7-6:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCABH7-6C:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCABH7-6R:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMECBH7-12:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMEABH7-12:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMEABH7-12:A IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMECBH7-12:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AKCBBH7-6:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AMCBBH7-6:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKEABH7-12IT:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKECBH7-12:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMEABH7-12IT:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6C:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCBBH7-6C:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCBBH7-6C:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AKEBBH7-12:B IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AMEBBH7-12:B IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CKECBH7-12:C IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição geral

Os dispositivos Micron NAND Flash incluem uma interface de dados assíncrona para operações de E/S de alto desempenho.Existem cinco sinais de controle utilizados para implementar a interface de dados asyn chronous: CE#, CLE, ALE, WE# e RE#. Sinais adicionais controlam a proteção de gravação do hardware (WP#) e monitoram o estado do dispositivo (R/B#).

Características

• Open NAND Flash Interface (ONFI) compatível com 2.2
• Tecnologia de células de níveis múltiplos (MLC)
• Organização
️ Tamanho da página x8: 8640 bytes (8192 + 448 bytes)
️ Tamanho do bloco: 256 páginas (2048K + 112K bytes)
Tamanho do avião: 2 aviões x 2048 blocos por avião
¢ Tamanho do dispositivo: 64 GB: 4096 blocos;
128 GB: 8192 blocos;
256 GB: 16.384 blocos;
512Gb: 32.786 blocos
• Eficiência de E/S síncrona
¢ Até ao modo de sincronização 5
Rate clock: 10ns (DDR)
¢ Densidade de leitura/gravação por pin: 200 MT/s
• Eficiência de E/S assíncrona
¢ Até ao modo de sincronização assíncrona 5
- Não.
TRC/tWC: 20ns (MIN)
• Desempenho da matriz
¢ Leitura da página: 50μs (MAX)
Página do programa: 1300 μs (TYP)
Bloqueio de apagamento: 3 ms (TYP)
• Faixa de tensão de funcionamento
VCC: 2,7V3,6V
VCCQ: 1,7V1,95V, 2,7V3,6V
• Conjunto de comandos: Protocolo ONFI NAND Flash
• Conjunto de comandos avançados
¢ Cache do programa
¢ Ler cache sequencial
Leia cache aleatório
¢ Modo de programação única (OTP)
¢ Comandos de vários planos
¢ Operações multi-LUN
¢ Identificador único de leitura
️ Copiaback
• O primeiro bloco (endereço de bloco 00h) é válido quando enviado
Para o ECC mínimo exigido, ver
Gestão de erros (página 109).
• RESET (FFh) exigido como primeiro comando após a alimentação
em
• O byte de estado de operação fornece um método de software para
detecção
¢ Conclusão da operação
Condição de aprovação/reprovamento
¢ Estado de proteção de gravação
• Os sinais DQS fornecem um método de hardware
para a sincronização de dados DQ na rede síncrona
interface
• Operações de copiamento suportadas dentro do avião
do qual são lidos os dados
• Qualidade e fiabilidade
¢ Conservação dos dados: 10 anos
Duração: 5000 ciclos de programação/apagamento
• Temperatura de funcionamento:
️ Comercial: 0°C a +70°C
Indústria (IT): de 40°C a +85°C
• Pacote
LGA de 52 almofadas
¢ TSOP de 48 pinos
- 100 bolas BGA.

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de fita e bobina (TR)
Embalagem -
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 2.7 V ~ 3.6 V
Embalagem do produto do fornecedor -
Capacidade de memória 512G (64G x 8)
Tipo de memória Flash - NAND
Velocidade -
Memória de formato Flash

Descrições

Flash - IC de memória NAND 512Gb (64G x 8) paralelo 166MHz