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IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

  • IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Número do modelo IS43LR16200D-6BL-TR
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM - LPDDR móvel Tamanho de memória 32Mbit
Organização da memória 2M x 16 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 166 MHz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 15ns
Tempo de acesso 5,5 ns Voltagem - Fornecimento 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 60-TFBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 60 TFBGA (8x10)
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Part Number Description
IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200D-6BL IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200D-6BLI-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200D-6BLI IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16400C-6BLI-TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16400C-6BLI IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16800G-6BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800G-6BLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800G-6BL IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800G-6BLI IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320B-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800F-6BLI IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16200C-6BL IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200C-6BLI IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200C-6BLI-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200C-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16320B-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320B-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320B-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16400B-6BLI IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16400B-6BLI-TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16800F-6BL IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800F-6BLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800F-6BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Características

• Tensão padrão: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Baixa tensão (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compatível com 1.5V
• taxas de transferência de dados de alta velocidade com frequência de sistema até 933 MHz
• 8 bancos internos para operação simultânea
• Arquitetura pré-retirada de 8n-bit
• Latência CAS programável
• Latência aditiva programável: 0, CL-1, CL-2
• Latência de gravação CAS programável (CWL) baseada no tCK
• Duração de explosão programável: 4 e 8
• Sequência de explosão programável: Sequencial ou Interleave
• Interrupção de BL no momento
• Auto auto-refrescar (ASR)
• Temperatura de auto-refrescamento (SRT)
• Intervalo de atualização:
7.8 us (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 us (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
• Auto-refrescamento em matriz parcial
• Pin de RECOMENDAÇÃO assíncrono
• TDQS (Termination Data Strobe) suportado (apenas x8)
• OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
• ODT dinâmico (Terminação instantânea)
• Força do condutor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Escrever nivelamento
• Até 200 MHz no modo DLL desligado
• Temperatura de funcionamento:
Comércio (TC = 0°C a +95°C)
Indústria (TC = -40°C a +95°C)
Automóvel, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Automóvel, A2 (TC = -40°C a +105°C)

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante ISSI
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de fita e bobina (TR)
Embalagem 60-TFBGA
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 10,7 V ~ 1,95 V
Embalagem do produto do fornecedor 60 TFBGA (8x10)
Capacidade de memória 32M (2M x 16)
Tipo de memória SDRAM DDR móvel
Velocidade 166 MHz
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SDRAM - Memória LPDDR móvel IC 32Mb (2M x 16) Paralela 166MHz 5.5ns 60-TFBGA (8x10)
Chip DRAM DDR SDRAM 32Mbit 2Mx16 1.8V 60 pin TFBGA T/R
DRAM 32M, 1.8V, M-DDR 2Mx16, 166Mhz, RoHS
Etiquetas:

Memória Flash estável IC

Memória Flash IC não temporário

Memória Flash IC de SPI