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MT29F128G08AMCABH2-10:A IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA Micron Technology Inc.

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xDetalhes do produto
Tipo da memória | Permanente | Formato da memória | FLASH |
---|---|---|---|
Tecnologia | FLASH - NAND | Tamanho de memória | 128 Gbits |
Organização da memória | 16G x 8 | Relação da memória | Paralelo |
Frequência de pulso de disparo | 100 MHz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | - |
Tempo de acesso | - | Voltagem - Fornecimento | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Embalagem / Caixa | 100-TBGA | Pacote de dispositivos do fornecedor | 100 TBGA (12x18) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A | IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA | |
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MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A | IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA | |
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A | IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA |
Descrição de produto
Detalhes do produto
Descrição geral
Os dispositivos Micron NAND Flash incluem uma interface de dados assíncrona para operações de E/S de alto desempenho.Existem cinco sinais de controle utilizados para implementar a interface de dados asyn chronous: CE#, CLE, ALE, WE# e RE#. Sinais adicionais controlam a proteção de gravação do hardware (WP#) e monitoram o estado do dispositivo (R/B#).
Características
• Open NAND Flash Interface (ONFI) compatível com 2.2• Tecnologia de células de níveis múltiplos (MLC)
• Organização
️ Tamanho da página x8: 8640 bytes (8192 + 448 bytes)
️ Tamanho do bloco: 256 páginas (2048K + 112K bytes)
Tamanho do avião: 2 aviões x 2048 blocos por avião
¢ Tamanho do dispositivo: 64 GB: 4096 blocos;
128 GB: 8192 blocos;
256 GB: 16.384 blocos;
512Gb: 32.786 blocos
• Eficiência de E/S síncrona
¢ Até ao modo de sincronização 5
Rate clock: 10ns (DDR)
¢ Densidade de leitura/gravação por pin: 200 MT/s
• Eficiência de E/S assíncrona
¢ Até ao modo de sincronização assíncrona 5
- Não.
TRC/tWC: 20ns (MIN)
• Desempenho da matriz
¢ Leitura da página: 50μs (MAX)
Página do programa: 1300 μs (TYP)
Bloqueio de apagamento: 3 ms (TYP)
• Faixa de tensão de funcionamento
VCC: 2,7V3,6V
VCCQ: 1,7V1,95V, 2,7V3,6V
• Conjunto de comandos: Protocolo ONFI NAND Flash
• Conjunto de comandos avançados
¢ Cache do programa
¢ Ler cache sequencial
Leia cache aleatório
¢ Modo de programação única (OTP)
¢ Comandos de vários planos
¢ Operações multi-LUN
¢ Identificador único de leitura
️ Copiaback
• O primeiro bloco (endereço de bloco 00h) é válido quando enviado
Para o ECC mínimo exigido, ver
Gestão de erros (página 109).
• RESET (FFh) exigido como primeiro comando após a alimentação
em
• O byte de estado de operação fornece um método de software para
detecção
¢ Conclusão da operação
Condição de aprovação/reprovamento
¢ Estado de proteção de gravação
• Os sinais DQS fornecem um método de hardware
para a sincronização de dados DQ na rede síncrona
interface
• Operações de copiamento suportadas dentro do avião
do qual são lidos os dados
• Qualidade e fiabilidade
¢ Conservação dos dados: 10 anos
Duração: 5000 ciclos de programação/apagamento
• Temperatura de funcionamento:
️ Comercial: 0°C a +70°C
Indústria (IT): de 40°C a +85°C
• Pacote
LGA de 52 almofadas
¢ TSOP de 48 pinos
- 100 bolas BGA.
Especificações
Atributo | Atributo Valor |
---|---|
Fabricante | Micron Technology Inc. |
Categoria de produtos | IC de memória |
Série | - |
Embalagem | Em granel |
Embalagem | 100 TBGA |
Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Interface | Paralelo |
Fornecimento de tensão | 2.7 V ~ 3.6 V |
Embalagem do produto do fornecedor | 100 TBGA (12x18) |
Capacidade de memória | 128G (16G x 8) |
Tipo de memória | Flash - NAND |
Velocidade | - |
Memória de formato | Flash |
Descrições
Flash - IC de memória NAND 128Gb (16G x 8) paralelo 100MHz 100-TBGA (12x18)
SLC NAND Flash Paralelo/Serial 3.3V 128G-bit 16G x 8 100 pin TBGA
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