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MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.

  • MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.
Marca Micron Technology Inc.
Número do modelo MT40A1G4RH-083E: B
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM - DDR4 Tamanho de memória 4Gbit
Organização da memória 1G x 4 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 1,2 gigahertz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página -
Tempo de acesso - Voltagem - Fornecimento 1.14V ~ 1.26V
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 95°C (TC) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 78-TFBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 78-FBGA (9x10.5)
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Part Number Description
MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT41K512M8RH-107:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 IT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-107 IT:E IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-107:E IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 IT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT41K512M8RH-125 V:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 XIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AAT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 V:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AAT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-062E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A1G4RH-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AIT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AAT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AUT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-075E IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4RH-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-062E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AAT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AIT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AUT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4RH-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição

Estes supressores de tensão transitória de 1500 watts oferecem capacidades de manipulação de potência encontradas apenas em pacotes maiores.Eles são mais frequentemente utilizados para proteger contra transientes de ambientes de comutação indutiva ou efeitos secundários de relâmpago induzidos, como encontrados em níveis mais baixos de onda de IEC61000-4-5Com tempos de resposta muito rápidos, são também eficazes na protecção contra DSE ou EFT.As características do pacote Powermite® incluem um fundo totalmente metálico que elimina a possibilidade de encurralamento do fluxo de solda durante a montagemEles também fornecem uma única aba de bloqueio atuando como um disipador de calor integral.A indutividade parasitária é minimizada para reduzir os excessos de tensão durante transientes de tempo de alta rápida.

Características

• Pacote de fixação de superfície de perfil muito baixo (1.1 mm)
• Caixas integradas de bloqueio do dissipador de calor
• Compatível com equipamento de inserção automática
• O fundo totalmente metálico elimina a captura do fluxo
• Faixa de tensão de 5 a 170 volts
• Disponível tanto unidireccional como bidireccional (subfixo C para bidireccional)

Classificações máximas

• Temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C
• Temperatura de armazenagem: - 55°C a + 150°C
• Potência de pico de pulso de 1500 Watt (10 / 1000 μsec)
• Corrente de sobrecarga para a frente: 200 amperes a 8,3 ms (excluindo bidireccional)
• Taxa de aumento da repetição (fator de taxa): 0,01%
• Resistência térmica: junção de 2,5°C/watt com a guia junção de 130°C/watt com o ambiente com pegada recomendada
• Temperatura de chumbo e de montagem: 260°C durante 10 segundos

Aplicações / Benefícios

• Proteção temporária contra raios secundários
• Proteção transitória por comutação indutiva
• Pequena pegada
• Indutância parasitária muito baixa para ultrapassagem mínima de tensão
• Compatível com as normas IEC61000-4-2 e IEC61000-4-4 para proteção ESD e EFT, respectivamente, e com as normas IEC61000-4-5 para níveis de sobretensão definidos no presente regulamento

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Caixa
Embalagem 78-TFBGA
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 95°C (TC)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 1.14 V ~ 1.26 V
Embalagem do produto do fornecedor A partir de um ponto de fusão, o ponto de fusão é o ponto de fusão.
Capacidade de memória 4G (1G x 4)
Tipo de memória DDR4 SDRAM
Velocidade 18n
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SDRAM - DDR4 Memória IC 4Gb (1G x 4) Paralela 1,2GHz 78-FBGA (9x10.5)
Chip DRAM DDR4 SDRAM 4Gbit 1Gx4 1.2V 78-Pin FBGA
Etiquetas:

Memória Flash estável IC

Memória Flash IC não temporário

Memória Flash IC de SPI