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MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALELO 60FBGA Micron Technology Inc.

  • MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc.
Marca Micron Technology Inc.
Número do modelo MT46V16M16CY-5B A TI: M
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM - DDR Tamanho de memória 256Mbit
Organização da memória 16M x 16 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 200 MHz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 15ns
Tempo de acesso 700 picosegundos Voltagem - Fornecimento 2,5V ~ 2,7V
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 60-TFBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 60 FBGA (8x12,5)
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Part Number Description
MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CY-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CY-5B:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16CY-5B IT:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CY-5B IT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CY-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16BN-5B:F TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16BN-6:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT46V16M16CY-5B:K TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CY-5B:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16CY-6 IT:K TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT46V16M16CY-6:K TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT46V16M16CY-5B:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M8CY-5B:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CY-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CY-5B L:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CV-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CV-5B IT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16CY-5B AAT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16CY-5B XIT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16CY-5B AIT:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16CY-5B XIT:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CY-5B AAT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CY-5B AIT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CY-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M8CY-5B:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CY-5B AIT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CY-5B IT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CY-5B L:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16CY-5B AIT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CY-5B AAT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CY-5B AIT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CY-5B AIT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CV-5B IT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CV-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CV-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CV-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CV-5B:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CY-5B L IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CV-5B:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CV-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CV-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16CY-5B:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16CY-5B AAT:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição geral

A DDR333 SDRAM é uma memória CMOS de acesso aleatório dinâmico de alta velocidade que opera a uma frequência de 167 MHz (tCK=6ns) com uma taxa de transferência de dados máxima de 333Mb/s/p.O DDR333 continua a usar a interface SSTL_2 padrão JEDEC e a arquitetura 2n-prefetch.

Características

• Relógio de 167 MHz, taxa de dados de 333 Mb/s/p
•VDD= +2,5V ±0,2V, VDDQ = +2,5V ±0,2V
• Estrobo de dados bidireccional (DQS) transmitido/recebido com dados, ou seja, captura de dados síncrona com a fonte (x16 tem dois - um por byte)
• Arquitetura interna de dupla taxa de dados (DDR); dois acessos de dados por ciclo de relógio
• Entradas de relógio diferencial (CK e CK#)
• Os comandos inseridos em cada borda CK positiva
• DQS alinhado em bordas com dados para READs; centro alinhado com dados para WRITEs
• DLL para alinhar as transições DQ e DQS com CK
• Quatro bancos internos para funcionamento simultâneo
• Máscara de dados (DM) para mascarar dados de gravação (x16 tem dois - um por byte)
• Comprimentos de rajadas programáveis: 2, 4 ou 8
• Opção de pré-carregamento automático simultâneo suportada
• Modos de auto-realização e auto-realização
• Pacote FBGA disponível
• 2.5V de entrada/saída (compatível com SSTL_2)
• bloqueio do tRAS (tRAP = tRCD)
• Compatível para trás com DDR200 e DDR266

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de bandeja
Embalagem 60-TFBGA
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 2.5 V ~ 2,7 V
Embalagem do produto do fornecedor 60 FBGA (8x12,5)
Capacidade de memória 256M (16M x 16)
Tipo de memória DDR SDRAM
Velocidade 5n
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SDRAM - Memória DDR IC 256Mb (16M x 16) Paralela 200MHz 700ps 60-FBGA (8x12.5)
Chip DRAM DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.6V 60 pin FBGA
Etiquetas:

Memória Flash estável IC

Memória Flash IC não temporário

Memória Flash IC de SPI