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W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALELO 96WBGA Winbond Eletrônica
| Marca | Winbond Electronics |
|---|---|
| Número do modelo | W631GG6KB-12 |
| Quantidade de ordem mínima | 1 |
| Preço | Based on current price |
| Detalhes da embalagem | Saco antiestático e caixa de papelão |
| Tempo de entrega | 3-5 dias úteis |
| Termos de pagamento | T/T |
| Habilidade da fonte | Em existência |
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xDetalhes do produto
| Tipo da memória | Temporário | Formato da memória | GOLE |
|---|---|---|---|
| Tecnologia | SDRAM - DDR3 | Tamanho de memória | 1Gbit |
| Organização da memória | 64M x 16 | Relação da memória | Paralelo |
| Frequência de pulso de disparo | 800 MHz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | - |
| Tempo de acesso | 20 ns | Voltagem - Fornecimento | 1.425V ~ 1.575V |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 85°C (TC) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem / Caixa | 96-TFBGA | Pacote de dispositivos do fornecedor | 96-WBGA (9x13) |
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W631GG6KB-12 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GG6KB-15 | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GG6KB-11 | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GG6KB15I | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB-12 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W632GG6KB-15 | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB15I | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB-11 | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GG6KB12I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GU6KB-12 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GU6KB12I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GU6KB-15 | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GU6KB15I | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB12I | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W632GU6KB-12 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W632GU6KB12I | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W632GU6KB-15 | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GU6KB15I | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GU6KB-12 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GU6KB12I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GU6KB-15 TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GU6KB15I TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB-11 TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB-12 TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W632GG6KB12I TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W632GG6KB-15 TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB15I TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GU6KB-12 TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W632GU6KB12I TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W632GU6KB-15 TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GU6KB15I TR | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GG6KB-11 TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GG6KB-12 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GG6KB-15 TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GG6KB12I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GG6KB15I TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB-09 | IC DRAM 2GBIT PAR 1066MHZ 96WBGA | |
| W632GG6KB11I | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB12J | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W632GG6KB15J | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GG6KB-18 | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GU6KB-11 | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GU6KB11I | IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA | |
| W632GU6KB12J | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GU6KB-11 | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GU6KB-11 TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GG6KB11I TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GG6KB11I | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GG6KB12J | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GG6KB15J | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA | |
| W631GU6KB12J | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA | |
| W631GU6KB11I | IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA |
Descrição de produto
Detalhes do produto
Descrição geral
O W631GG6KB é uma 1G bits DDR3 SDRAM, organizado como 8,388,608 palavras x 8 bancos x 16 bits. Este dispositivo atinge taxas de transferência de alta velocidade de até 1866 Mb/sec/pin (DDR3-1866) para várias aplicações. W631GG6KB é classificado nos seguintes graus de velocidade: -11,- Doze, 12I, 12A, 12K -15, 15I, 15A e 15K. O grau de velocidade -11 é conforme com a especificação DDR3-1866 (13-13-13).As classes de velocidade 12A e 12K cumprem as especificações DDR3-1600 (11-11-11) (a classe industrial 12I que é garantida para suportar -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C)Os níveis de velocidade -15, 15I, 15A e 15K são conformes com a especificação DDR3-1333 (9-9-9) (o grau industrial de 15I que é garantido para suportar -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C).
Características
¢ Fornecimento de energia: VDD, VDDQ = 1,5 V ± 0,075 VArquitetura de taxa de dados dupla: duas transferências de dados por ciclo de relógio
Oito bancos internos para operação simultânea
Arquitetura de prefetch de 8 bits
- CAS Latência: 6, 7, 8, 9, 10, 11 e 13
¢ modos de comprimento de rajada 8 (BL8) e de corte de rajada 4 (BC4): fixados através do registo de modo (MRS) ou selecionáveis a bordo (OTF)
¢ Ordenação de leitura de rádio programável: sequencial entrelaçada ou mordida
Os dados são transmitidos/recebidos através de estroboscópios bidirecionais e diferenciais (DQS e DQS#).
¢ Alinhada em borda com dados de leitura e alinhada no centro com dados de gravação
O DLL alinha as transições DQ e DQS com o relógio
Input de relógio diferencial (CK e CK#)
Os comandos inseridos em cada borda CK positiva, dados e máscara de dados são referenciados para ambas as bordas de um par de estroboscopo de dados diferencial (taxa de dados dupla)
¢ CAS publicado com latência aditiva programável (AL = 0, CL - 1 e CL - 2) para melhorar a eficiência do comando, endereço e data bus
¢ Latência de leitura = Latência aditiva mais Latência CAS (RL = AL + CL)
¢ Função de pré-carregamento automático para rádios de leitura e gravação
️ Aumentar, Auto-Aumentar, Auto-Aumentar (ASR) e Auto-Aumentar Parcial (PASR)
️ Desligação de energia pré-carregada e desligação de energia ativa
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Winbond Electronics |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Categoria | Conectores retangulares - Arrays, Edge Type, Mezzanine (Board to Board) |
| Fabricante | Hirose Electric Co Ltd |
| Série | IT1 |
| Embalagem | Caixa |
| Estatuto da parte | Atividade |
| Tipo de conector | Módulo, contatos da faixa central |
| Número de posições | 252 Posições |
| Pico | 0.020" (0,50mm) |
| Número de linhas | 2 linhas |
| Tipo de montagem | - |
| Características | De dois lados |
| Contacto-Finimento | Ouro |
| Espessura do acabamento de contacto | - |
| Alturas de empilhamento em acasalamento | - |
| Altura acima da placa | - |
Descrições
SDRAM - DDR3 Memória IC 1Gb (64M x 16) Paralela 800MHz 20ns 96-WBGA (9x13)
Chip DRAM DDR3 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.5V 96-Pin WBGA
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