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MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALELO 78FBGA Micron Technology Inc.

  • MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.
Marca Micron Technology Inc.
Número do modelo MT41K256M8DA-125: K
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM - DDR3L Tamanho de memória 2Gbit
Organização da memória 256M x 8 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 800 MHz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página -
Tempo de acesso 13,75 ns Voltagem - Fornecimento 1.283V ~ 1.45V
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 95°C (TC) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 78-TFBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 78-FBGA (8x10.5)
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Part Number Description
MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 XIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 XIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AAT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AAT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AUT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AUT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 V:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 V:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:P IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125:M IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-15E:M IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AIT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41J256M8DA-093:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 IT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41J256M8DA-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G4DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:N TR IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 AIT:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 AIT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 IT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AIT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-125:P IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-125:P TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-093 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:N IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-93:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-93:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G4DA-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

[MCL]

Amplificador de laboratório CW TWT de banda larga

Para ensaios de RADAR, EMC e EW

O amplificador de banda larga MT4100 é alavancado em torno da arquitetura MT4000 TWT comprovada em campo.

Com um design modular, uma embalagem compacta e eficiente, o MT4100 apresentará uma fiabilidade inigualável.

Características:

Capacidades de diagnóstico extensas
Projeto térmico avançado
Tamanho compacto
Refrigeração por canalização
Operação silenciosa

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de bandeja
Embalagem 78-TFBGA
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 95°C (TC)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 1.283 V ~ 1.45 V
Embalagem do produto do fornecedor A partir de um ponto de fusão, o ponto de fusão é o ponto de fusão.
Capacidade de memória 2G (256M x 8)
Tipo de memória DDR3L SDRAM
Velocidade 800 MHz
Memória de formato Memória RAM
Mfr Micron Technology Inc.
Pacote Caixa
Estatuto do produto Atividade
Tipo de memória Volátil
Formato de memória DRAM
Tecnologia SDRAM - DDR3L
Tamanho da memória 2Gb (256M x 8)
Interface de memória Paralelo
Frequência do relógio 800 MHz
Escrever-Ciclo-Tempo-Word-Page -
Tempo de acesso 13,75 ns
Fornecimento de tensão 1,283 V ~ 1,45 V
Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem 78-TFBGA
Número do produto de base MT2M2M2M2

Componente funcional compatível

Forma, embalagem, componente funcional compatível

Parte do fabricante Descrição Fabricante Comparação
H5TQ2G83CFR-H9C
Memória		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, sem halogênio e compatível com a ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT5M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4
MT41K256M8DA-125IT:K
Memória		 DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, sem chumbo, FBGA-78 Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125:K vs MT41K256M8DA-125IT:K
H5TQ2G83FFR-PBC
Memória		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83FFR-PBC
H5TQ2G83CFR-PBC
Memória		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, sem halogênio e compatível com a ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K versus H5TQ2G83CFR-PBC
H5TC2G83CFR-PBA
Memória		 DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, sem halogênio e compatível com a ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT4M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2
MT2M2M2M2M2M2
Memória		 DDR DRAM, 256MX8, 0,225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, livre de chumbo, FBGA-78 Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125:K vs MT41K256M8DA-125:M
MT41K256M8DA-107:K
Memória		 DDR DRAM, 256MX8, 0,195ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, 1,20 MM de altura, livre de chumbo, FBGA-78 Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125:K vs MT41K256M8DA-107:K
H5TQ2G83DFR-RDC
Memória		 DDR DRAM, 256MX8, 0,195ns, CMOS, PBGA78, sem halogênio e compatível com a ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83DFR-RDC
H5TQ2G83EFR-PBC
Memória		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, livre de halogênio e compatível com a ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83EFR-PBC
H5TQ2G83DFR-PBC
Memória		 DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, livre de halogênio e compatível com a ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K vs H5TQ2G83DFR-PBC

Descrições

SDRAM - DDR3L Memória IC 2Gb (256M x 8) Paralela 800MHz 13,75ns 78-FBGA (8x10.5)
Chip DRAM DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78-Pin FBGA
Etiquetas:

Memória Flash estável IC

Memória Flash IC não temporário

Memória Flash IC de SPI