MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALELO 144FBGA Micron Technology Inc.

Descrição geral

The Micron® 256Mb Reduced Latency DRAM (RLDRAM) contains 8 banks x32Mb of memory accessible with 32-bit or 16-bit I/Os in a double data rate (DDR) format where the data is provided and synchronized with a differential echo clock signal. A RLDRAM não requer multiplexação de endereços de linha/coluna e é otimizada para acesso aleatório rápido e largura de banda de alta velocidade.
A RLDRAM é projetada para armazenamentos de dados de comunicação, como buffers de transmissão ou recebimento em sistemas de telecomunicações, bem como aplicativos de cache de dados ou instruções que exigem grandes quantidades de memória.

Características

• 2.5V VEXT, 1.8V VDD, 1.8V VDDQ I/O
• Endereçamento bancário cíclico para a largura de banda máxima de saída de dados
• Endereços não múltiplos
• Explosão sequencial não interrompida de dois (2-bit)
prefetch) e quatro (4-bit prefetch) DDR
• Taxa de dados de 600 Mb/s/p
• Latência de leitura programável (RL) de 5 a 8
• O sinal válido de dados (DVLD) é activado quando os dados de leitura estão disponíveis
• Sinais de máscara de dados (DM0/DM1) para mascarar primeiro e
segunda parte da gravação de dados
• Análise de limites JTAG compatível com a norma IEEE 1149.1
• Fornecimento de I/O pseudo-HSTL 1.8V
• Precarga automática interna
• Requisitos de atualização: 32 ms a 100 °C
temperatura (8K atualização para cada banco, 64K atualização
O comando deve ser emitido no total a cada 32 ms)