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IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc

  • IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Número do modelo IS42S16100H-7BL-TR
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM Tamanho de memória 16Mbit
Organização da memória 1M x 16 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 143 megahertz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página -
Tempo de acesso 5,5 ns Voltagem - Fornecimento 3 V ~ 3,6 V
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 60-TFBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 60 TFBGA (6.4x10.1)
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Part Number Description
IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-6BL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100H-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-6BL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100H-6BLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100H-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-6BLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
AS4C4M16SA-7B2CNTR IC DRAM 64MBIT PAR 60FBGA
AS4C4M16SA-7B2CN IC DRAM 64MBIT PAR 60FBGA
IS42S16400J-7B2LI-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA1-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400J-7B2LI IC DRAM 64MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA1 IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA2-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA2 IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7B IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7B-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400D-6BL IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-6BL-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BL IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BL-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BLI IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BLI-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100C1-7BLA1 IC DRAM 16MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7B IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100E-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100E-7BI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400D-6BLI IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100C1-7BLA1-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7B-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100E-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100E-7BI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400D-6BLI-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-6BL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100E-6BLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100E-6BLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100E-6BL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100F-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100F-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100F-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100E-7BLA1 IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100E-7BLA1-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

DESCRIPÇÃO ISSI 16Mb DRAM síncrona IS42S16100 é organizada como um banco de 524.288 palavras x 16 bits x 2 para melhorar o desempenho.As DRAMs síncronas conseguem transferência de dados de alta velocidade usando arquitetura de pipeline. Todos os sinais de entrada e saída referem-se à borda ascendente da entrada do relógio.

Características

• Frequência do relógio: 166, 143, 100 MHz
• Totalmente sincronizado; todos os sinais referenciados a uma ponta positiva do relógio
• Dois bancos podem funcionar simultaneamente e de forma independente
• Banco interno duplo controlado por A11 (banco selecionado)
• Fornecimento de energia único de 3,3 V
• Interface LVTTL
• comprimento de rajada programável (1, 2, 4, 8, página completa)
• Sequência de explosão programável: Sequencial/Interleave
• Auto atualização, auto atualização
• 4096 ciclos de atualização a cada 128 ms
• Endereço de coluna aleatório a cada ciclo de relógio
• Latência CAS programável (2, 3 horas)
• Capacidade de leitura/escritura em tempo real e de leitura/escritura em tempo real
• Terminação da explosão por comando de parada da explosão e pré-carga
• Byte controlado por LDQM e UDQM
• Embalagem 400 milímetros e 50 pinos TSOP II

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante ISSI
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de fita e bobina (TR)
Embalagem 60-TFBGA
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 3 V ~ 3,6 V
Embalagem do produto do fornecedor 60 TFBGA (6.4x10.1)
Capacidade de memória 16M (1M x 16)
Tipo de memória SDRAM
Velocidade 143 MHz
Memória de formato Memória RAM

Descrições

IC de memória SDRAM de 16 Mb (1M x 16) paralelo de 143 MHz 5,5ns 60-TFBGA (6.4x10.1)
16M, 3.3V, SDRAM, 1MX16, 143MH
DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz, RoHS
Etiquetas:

Memória Flash estável IC

Memória Flash IC não temporário

Memória Flash IC de SPI