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AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512 MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc.

  • AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc.
Marca Alliance Memory, Inc.
Número do modelo As emissões de CO2 provenientes de instalações de transmissão de gases de efeito estufa devem ser ca
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM - DDR Tamanho de memória 512Mbit
Organização da memória 32M x 16 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 200 MHz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 15ns
Tempo de acesso 700 picosegundos Voltagem - Fornecimento 2.3V ~ 2.7V
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 66-TSSOP (0,400", largura de 10.16mm) Pacote de dispositivos do fornecedor 66-TSOP II
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Part Number Description
AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TCN IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TIN IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1-6TCN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TCN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TCN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TCN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1-6TIN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TIN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M8D1-5TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TIN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M8D1-5TCN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M8D1-5TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M8D1-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TANTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TAN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1-6TCNTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TCN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1-5TCN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1-5TCN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TCN IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1-5TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1-5TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1-5TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1-5TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TIN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1-5TIN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TIN IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TAN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M8D1-5TCN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M8D1-5TIN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1A-6TCN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1A-6TIN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
MT46V32M16TG-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
MT46V32M16TG-5B IT:JTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
MT46V16M16TG-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
MT46V16M16TG-5B:MTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M8D1-5TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M8D1-5TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1A-6TCNTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1A-6TINTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C128M8D1-6TIN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C128M8D1-6TINTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
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Part Number Description
Descrição de produto

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Alliance Memory, Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Série -
Embalagem Embalagens alternativas de bandeja
Embalagem 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm de largura)
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 2.3 V ~ 2,7 V
Embalagem do produto do fornecedor 66-TSOP II
Capacidade de memória 512M (32M x 16)
Tipo de memória DDR SDRAM
Velocidade 200 MHz
Memória de formato Memória RAM
Etiquetas:

Memória Flash estável IC

Memória Flash IC não temporário

Memória Flash IC de SPI