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AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256 MBIT PAR 60TFBGA Alliance Memory, Inc.
| Marca | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|
| Número do modelo | AS4C16M16D1-5BCN |
| Quantidade de ordem mínima | 1 |
| Preço | Based on current price |
| Detalhes da embalagem | Saco antiestático e caixa de papelão |
| Tempo de entrega | 3-5 dias úteis |
| Termos de pagamento | T/T |
| Habilidade da fonte | Em existência |
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xDetalhes do produto
| Tipo da memória | Temporário | Formato da memória | GOLE |
|---|---|---|---|
| Tecnologia | SDRAM - DDR | Tamanho de memória | 256Mbit |
| Organização da memória | 16M x 16 | Relação da memória | Paralelo |
| Frequência de pulso de disparo | 200 MHz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 15ns |
| Tempo de acesso | 700 picosegundos | Voltagem - Fornecimento | 2.3V ~ 2.7V |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
| Embalagem / Caixa | 60-TFBGA | Pacote de dispositivos do fornecedor | 60-TFBGA (8x13) |
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| AS4C16M16D1-5BCN | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C64M8D1-5BIN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| AS4C8M16D1-5BIN | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C16M16D1-5BIN | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C32M16D1-5BIN | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C8M16D1-5BCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C8M16D1-5BINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C8M16D1-5BCN | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C16M16D1-5BCNTR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C32M16D1-5BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA | |
| AS4C64M8D1-5BCNTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| AS4C16M16D1-5BINTR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C64M8D1-5BINTR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| AS4C64M8D1-5BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA | |
| AS4C32M16D1-5BINTR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| AS4C32M16D1-5BCN | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA | |
| IS46R16160F-5BLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16160F-5BLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320F-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400F-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-6BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-5BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-5BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-6BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-6BLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46R16320E-6BLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| W9425G6JB-5 | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| W9425G6JB-5I | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| W9425G6JB-5 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| W9425G6JB-5I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-5BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-5BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-5BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-5BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160D-6BI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320D-6BI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16160D-6BI | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320D-6BI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R16320E-6BI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43R86400E-5BI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43R16320E-5BI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43R86400D-5B | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43R86400D-6BI | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43R16160F-5BI | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA |
Descrição de produto
Detalhes do produto
Características
• Organização: 1,048,576 palavras × 4 bits• Alta velocidade
- Tempo de acesso ao RAS de 40/50/60/70 ns
- 20/25/30/35 ns tempo de acesso ao endereço da coluna
- 10/13/15/18 ns Tempo de acesso ao CAS
• Baixo consumo de energia
- Ativos: 385 mW máximo (-60)
- Em espera: 5,5 mW max, CMOS I/O
• modo de página rápida (AS4C14400) ou EDO (AS4C14405)
• 1024 ciclos de actualização, intervalo de actualização de 16 ms
- Reaproveitamento somente do RAS ou do CAS antes do RAS
• Leitura-modificação-escrita
• Compatível com TTL, E/S de três estados
• Pacotes padrão JEDEC
- 300 mil, 20/26 pin SOJ
- 300 mil, 20/26-pin TSOP
• Fonte de alimentação única de 5 V
• Proteção ESD ≥ 2001V
• Corrente de retenção ≥ 200 mA
Especificações
| Atributo | Atributo Valor |
|---|---|
| Fabricante | Alliance Memory, Inc. |
| Categoria de produtos | IC de memória |
| Série | AS4C16M16D1 |
| Tipo | DDR1 |
| Embalagem | Embalagens alternativas de bandeja |
| Estilo de montagem | SMD/SMT |
| Embalagem | 60-TFBGA |
| Temperatura de funcionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Interface | Paralelo |
| Fornecimento de tensão | 2.3 V ~ 2,7 V |
| Embalagem do produto do fornecedor | 60 - TFBGA (13x8) |
| Capacidade de memória | 256M (16M x 16) |
| Tipo de memória | DDR SDRAM |
| Velocidade | 200 MHz |
| Tempo de acesso | 0.7 ns |
| Memória de formato | Memória RAM |
| Temperatura máxima de funcionamento | + 70 C |
| Intervalo de temperatura de funcionamento | 0 C |
| Organização | 16 M x 16 |
| Suporte-corrente-máximo | 135 mA |
| Largura do Data-Bus | 16 bits |
| Voltagem de alimentação máxima | 2.7 V |
| Voltagem de alimentação-min | 2.3 V |
| Embalagem | TFBGA-60 |
| Frequência máxima do relógio | 200 MHz |
Descrições
SDRAM - Memória DDR IC 256Mb (16M x 16) Paralela 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
DRAM 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1
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