Todos os Produtos
-
Circuito integrado IC
-
Módulo do RF IC
-
Gestão CI do poder
-
Unidade do microcontrolador de MCU
-
Circuito integrado de FPGA
-
Sensor do circuito integrado
-
Circuitos integrados da relação
-
Isolador Opto de Digitas
-
Memória Flash IC
-
AMORTECEDOR IC da lógica
-
Microplaqueta de IC do amplificador
-
Sincronismo IC do pulso de disparo
-
IC por aquisição de dados
IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

Contacte-me para amostras grátis e vales.
Whatsapp:0086 18588475571
bate-papo: 0086 18588475571
skype: sales10@aixton.com
Se você tem algum interesse, nós fornecemos a ajuda online de 24 horas.
xDetalhes do produto
Tipo da memória | Temporário | Formato da memória | GOLE |
---|---|---|---|
Tecnologia | SDRAM - DDR | Tamanho de memória | 256Mbit |
Organização da memória | 16M x 16 | Relação da memória | Paralelo |
Frequência de pulso de disparo | 166 MHz | Escreva o tempo de ciclo - palavra, página | 15ns |
Tempo de acesso | 700 picosegundos | Voltagem - Fornecimento | 2.3V ~ 2.7V |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) | Tipo de montagem | Montagem de superfície |
Embalagem / Caixa | 66-TSSOP (0,400", largura de 10.16mm) | Pacote de dispositivos do fornecedor | 66-TSOP II |
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
Part Number | Description | |
---|---|---|
IS43R16160F-6TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160F-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200F-6TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400F-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320F-6TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400F-5TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160D-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320F-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800E-6TL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800E-5TL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800E-6TL | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800E-6TLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800E-5TL | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800E-5TLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160F-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160F-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800E-6TLI | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800E-5TLI | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200F-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160F-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160F-5TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160F-5TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200F-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200F-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160F-5TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200F-5TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200F-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160D-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160D-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160D-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160D-5TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160D-6TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160F-6TLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160F-5TLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160D-5TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160F-6TLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160F-5TLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200D-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160D-5TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160F-6TLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200D-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320D-6TL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400D-6TL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200D-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320F-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320D-5TL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400D-5TL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320F-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400F-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400F-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160F-6TLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200D-5TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200D-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160D-6TLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320D-6TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400D-6TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160D-5TLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320D-5TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320F-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400F-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400D-5TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200D-6TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160D-6TLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320E-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160D-5TLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160D-6TLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320E-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320E-6TLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320E-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320E-5TLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16160D-6TLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320E-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320D-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400D-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320E-6TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320D-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400D-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320E-5TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320D-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400D-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320D-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400D-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320E-6TLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320D-6TLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R86400D-6TLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320D-5TLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320D-6TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R86400D-6TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320E-6TLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320D-5TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320D-6TLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320D-6TLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800A-5TL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200B-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200B-5TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200B-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200B-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800C-5TL | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-5TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-5TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-6TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400E-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400E-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400E-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400E-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II |
Descrição de produto
Detalhes do produto
Características
● Tensão padrão: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V● Baixa Tensão (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compatível com 1.5V
● Alta velocidade de transferência de dados com sistema
frequência até 933 MHz
● 8 bancos internos para operação simultânea
● Arquitetura pré-retirada de 8n-bits
● Latência CAS programável
● Latência Aditiva Programável: 0, CL-1, CL-2
● Latência de gravação de CAS programável (CWL) baseada no tCK
● Duração de explosão programável: 4 e 8
● Sequência de explosão programável: seqüencial ou intercalada
● Interruptor BL no momento
● Auto-realização ((ASR))
● Temperatura de auto-refrescamento (SRT)
● Intervalo de atualização:
7.8 us (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 us (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
● Auto-refrescamento em matriz parcial
● Pin de RESET assíncrono
● TDQS (Termination Data Strobe) suportado (apenas x8)
● OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
● ODT dinâmico (Terminação instantânea)
● Força do condutor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 ′′)
● Escrever nivelamento
● Até 200 MHz no modo DLL desligado
● Temperatura de funcionamento:
Comércio (TC = 0°C a +95°C)
Indústria (TC = -40°C a +95°C)
Automóvel, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Automóvel, A2 (TC = -40°C a +105°C)
Especificações
Atributo | Atributo Valor |
---|---|
Fabricante | ISSI |
Categoria de produtos | IC de memória |
Série | - |
Embalagem | Embalagens alternativas de bandeja |
Embalagem | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm de largura) |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Interface | Paralelo |
Fornecimento de tensão | 2.3 V ~ 2,7 V |
Embalagem do produto do fornecedor | 66-TSOP II |
Capacidade de memória | 256M (16M x 16) |
Tipo de memória | DDR SDRAM |
Velocidade | 166 MHz |
Memória de formato | Memória RAM |
Descrições
SDRAM - Memória DDR IC 256Mb (16M x 16) Paralela 166MHz 700ps 66-TSOP II
Chip DRAM DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66 pin TSOP-II
DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
Produtos recomendados