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MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA Micron Technology Inc.

  • MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA Micron Technology Inc.
Marca Micron Technology Inc.
Número do modelo MT4A4A4A4A4A4A4A4A4B
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem Saco antiestático e caixa de papelão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
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Detalhes do produto
Tipo da memória Temporário Formato da memória GOLE
Tecnologia SDRAM - DDR2 Tamanho de memória 256Mbit
Organização da memória 64M x 4 Relação da memória Paralelo
Frequência de pulso de disparo 267 megahertz Escreva o tempo de ciclo - palavra, página 15ns
Tempo de acesso 500 picosegundos Voltagem - Fornecimento 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 85°C (TC) Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem / Caixa 60-FBGA Pacote de dispositivos do fornecedor 60 FBGA (8x12)
Você pode marcar os produtos de que precisa e se comunicar conosco no quadro de mensagens.
Part Number Description
MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT46V128M4FN-5B:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4HQ-5E:E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V128M4FN-6:D TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT46V16M16FG-5B:F TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16FG-6:F TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT46V32M8FG-5B:G TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M8FG-6:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT46V64M4FG-5B:G TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M4FG-6:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT46V64M8FN-5B:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8FN-6:D TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H32M8BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT47H32M8BP-3:B TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT48LC16M8A2FB-75 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60FBGA
MT48LC16M8A2FB-75:G TR IC SDRAM 128MBIT 133MHZ 60FBGA
MT48LC32M8A2FB-75 L:D TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT48LC32M8A2FB-75:D TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT48LC32M8A2FB-7E:D TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46H8M16LFCF-10 IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
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MT46H8M16LFCF-10 IT TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFCF-10 TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFCF-75 IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFCF-75 IT IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46V128M4BN-5B:F IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V128M4BN-5B:F TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V128M4BN-6:F IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT46V128M4BN-6:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT46V16M16FG-6 L:F IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT46V16M16FG-6 L:F TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT46V32M16BN-5B:F IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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MT46V32M16FN-5B:F IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16FN-5B:F TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16FN-6 IT:F IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT46V32M16FN-6 IT:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT46V32M16FN-6:F IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT46V32M16FN-6:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT46V32M8BG-6 IT:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT46V64M8BN-5B:F IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8BN-6:F IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
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MT46V64M8FN-6 IT:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
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MT47H64M8CB-37E IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
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MT46V128M4FN-6:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
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MT46V64M4BG-6:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
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MT46V64M8BN-6:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT46V16M16BG-5B:F TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16BG-6:F TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT46V128M4BN-6:D IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT46V128M4BN-6:D TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
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MT46V128M4FN-75:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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MT46V16M16FG-75:F TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
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MT46V32M8FG-75 L:G TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
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MT46V64M4FG-75E:G TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M4FG-75:G IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M4FG-75:G TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
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MT46V64M8BN-5B:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8BN-6:D IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT46V64M8BN-6:D TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT46V64M8BN-75 IT:D IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8BN-75 IT:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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MT46V64M8FN-75:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M4CB-37E:B IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H128M4CB-37E:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
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MT47H128M4CB-3:B TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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MT47H32M8BP-5E:B TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M4BP-37E:B IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8CB-37E:B IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8CB-37E:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8CB-37V:B IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8CB-37V:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8CB-3:B IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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MT47H64M8CB-5E:B IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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MT48LC16M8A2BB-75 IT:G IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60FBGA
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MT48LC32M8A2BB-75:D IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
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MT46V64M8BN-6 IT:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT46V64M8BN-6 L:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8B6-37E:D TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8B6-5E:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8B6-25E:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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MT47H64M8B6-25:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M4B6-25:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8B6-5E IT:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8B6-37E IT:D TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8B6-3 IT:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8B6-25E IT:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8B6-3:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16BN-6 IT:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H128M4B6-3:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16BG-6 IT:F TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT47H128M8HQ-3:E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4HQ-3:E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT48LC16M8A2BB-7E:G TR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8FN-6:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H512M4THN-3:E TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
MT47H512M4THN-37E:E TR IC DRAM 2GBIT PAR 63FBGA
MT47H128M8HQ-187E:E TR IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H256M4HQ-187E:E TR IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8B6-25E L:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT48LC32M8A2BB-6A:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT48LC32M8A2BB-7E:G TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT48LC32M8A2BB-6A:G IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT48LC32M8A2BB-7E:G IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
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Part Number Description
Descrição de produto

Detalhes do produto

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 bancos
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 bancos
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 bancos

Características

• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• E/S de 1,8 V de acordo com o padrão JEDEC (compatível com SSTL_18)
• Opção de estroboscopia de dados diferencial (DQS, DQS#)
• Arquitetura de prefetch de 4n bits
• Opção de estroboscopia de saída dupla (RDQS) para x8
• DLL para alinhar as transições DQ e DQS com CK
• 8 bancos internos para operação simultânea
• Latência de CAS programável (CL)
• Latência do aditivo CAS (AL) publicada
• LATENÇA DE ESCRITA = LATENÇA DE LECTAÇÃO - 1 tCK
• Comprimentos de explosão selecionáveis (BL): 4 ou 8
• Força do motor de saída de dados ajustável
• 64 ms, 8192 ciclos de atualização
• Terminação no momento da morte (ODT)
• Opção de temperatura industrial (IT)
• Opção de temperatura do automóvel (AT)
• Compatível com a RoHS
• Suporta a especificação JEDEC clock jitter

Especificações

AtributoAtributo Valor
FabricanteMicron Technology Inc.
Categoria de produtosIC de memória
Série-
EmbalagemEmbalagens alternativas
Embalagem60-FBGA
Temperatura de funcionamento0°C ~ 85°C (TC)
InterfaceParalelo
Fornecimento de tensão1.7 V ~ 1.9 V
Embalagem do produto do fornecedor60 FBGA (8x12)
Capacidade de memória256M (64Mx4)
Tipo de memóriaDDR2 SDRAM
Velocidade3.75ns
Memória de formatoMemória RAM

Descrições

SDRAM - DDR2 Memória IC 256Mb (64M x 4) Paralela 267MHz 500ps 60-FBGA (8x12)
Etiquetas:

Memória Flash estável IC

Memória Flash IC não temporário

Memória Flash IC de SPI