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HMC788ALP2E IC RF AMP LTE 0HZ-10GHZ 6LFCSP Analog Devices Inc.

  • HMC788ALP2E IC RF AMP LTE 0HZ-10GHZ 6LFCSP Analog Devices Inc.
Marca Analog Devices Inc.
Número do modelo HMC788ALP2E
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem caixa antiestática do saco & de cartão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
Termos de pagamento T/T
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Detalhes do produto
Frequência 0Hz ~ 10GHz P1dB 18dBm
Ganho 12dB Figura de ruído 7dB
Tipo do RF LTE, WiMax Voltagem - Fornecimento 5V
Atual - fonte 76mA Frequência do teste 6 GHz ~ 10 GHz
Tipo de montagem Montagem de superfície Embalagem / Caixa 6-VDFN Pad exposto, CSP
Pacote de dispositivos do fornecedor 6-LFCSP (2x2)
Destacar

IC RF

,

Módulo de circuito integrado RF

,

Módulo de chip de IC de RF
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Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição geral

O hmC797 é um GaAs mmiC phemT Amplificador de potência distribuída que opera entre DC e 22 GHz. O amplificador fornece 14,5 dB de ganho,40 dBm de potência de saída ip3 e +28 dBm de potência de saída a 1 dB de compressão de ganho, enquanto se requer 400mA de uma fonte de +10V.

Características

Potência de saída p1dB elevada: +28 dBm
Potência de saída psat elevada: +31 dBm
Ganhos elevados: 14,5 dB
IP3 de alta potência: +40 dBm
Tensão de alimentação: +10 V @ 400 mA
50 ohms de entrada/saída combinadas
Tamanho da matriz: 2,89 x 1,55 x 0,1 mm

Aplicações típicas

O hmC797 é ideal para:
• Instrumentação de ensaio
• rádio de microondas e VSAT
• militares e espaciais
• Infra-estruturas de telecomunicações
• fibra óptica

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Dispositivos analógicos
Categoria de produtos Chips IC
Fabricante Analog Devices Inc.
Categoria de produtos Amplificador de RF
RoHS Detalhes
Estilo de montagem SMD/SMT
Embalagem DFN-EP-6
Embalagem Reel
Marca Dispositivos analógicos
Série HMC788A

Descrições

RF Amp Single MMIC Amp 10GHz 7V 6-Pin DFN EP T/R
Amplificador de RF Bloco de ganho de 10 GHz Linr Drive/Gain Block
Etiquetas:

Microcontrolador de superfície do RF da montagem

Circuitos integrados da radiofrequência de Bluetooth

Poder IC do RF de múltiplos propósitos