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HMC516LC5 IC RF AMP GPS 9GHZ-18GHZ 32QFN Analog Devices Inc.

  • HMC516LC5 IC RF AMP GPS 9GHZ-18GHZ 32QFN Analog Devices Inc.
Marca Analog Devices Inc.
Número do modelo HMC516LC5
Quantidade de ordem mínima 1
Preço Based on current price
Detalhes da embalagem caixa antiestática do saco & de cartão
Tempo de entrega 3-5 dias úteis
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Detalhes do produto
Frequência 9 GHz ~ 18 GHz P1dB 14dBm
Ganho 20.5 dB Figura de ruído 2dB
Tipo do RF Uso geral Voltagem - Fornecimento 2.5V ~ 3.5V
Atual - fonte 88mA Frequência do teste -
Tipo de montagem Montagem de superfície Embalagem / Caixa 32-TFQFN Almofada exposta
Pacote de dispositivos do fornecedor 32-QFN (5x5)
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IC RF

,

Módulo de circuito integrado RF

,

Módulo de chip de IC de RF
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Descrição de produto

Detalhes do produto

Descrição geral

O HMC516LC5 é um amplificador GaAs PHEMT MMIC Low Noise Amplifier (LNA) de alta faixa dinâmica, alojado em um pacote SMT sem chumbo, livre de Pb, compatível com RoHS.0 dB de ruído e tem uma potência de saída IP3 de +25 dBmA potência de saída P1dB de +13 dBm permite que o LNA funcione também como um controlador LO para misturadores equilibrados, I/Q ou de rejeição de imagem.

Características

Figura de ruído: 2,0 dB
Ganho: 20 dB
OIP3: +25 dBm
Fornecimento único: +3V @ 65 mA
50 Ohm de entrada/saída combinadas
Embalagem compatível com a RoHS 5 x 5 mm

Aplicações típicas

O HMC516LC5 é ideal para utilização como LNA ou amplificador de condutor para:
• Rádios ponto a ponto
• Rádios ponto a ponto e VSAT
• Equipamento de ensaio e sensores
• Militares

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Hittite
Categoria de produtos Chips IC
Série HMC516G
Tipo Amplificador de RF
Embalagem Embalagens alternativas de tiras cortadas
Estilo de montagem SMD/SMT
Embalagem 32-TFQFN Pad exposto
Frequência 9 GHz ~ 18 GHz
Tecnologia GaAs
Intervalo de frequência 9 GHz a 18 GHz
Número de canais 1 Canal
Fornecimento de tensão 2.5 V ~ 3.5 V
Embalagem do produto do fornecedor 32-SMT (5x5)
Fornecimento de corrente 88 mA
Ganho 20.5 dB
Tipo de amplificador LNA
Frequência de ensaio -
P1dB-Ponto de compressão 14 dBm
Figura de ruído 2 dB
Tipo RF Propósito geral
Pd-Disposição de Potência 1.25 W
Temperatura máxima de funcionamento + 85 C
Intervalo de temperatura de funcionamento - 40 C.
Voltagem de alimentação de funcionamento 3 V
Corrente de abastecimento operacional 65 mA
Frequência de funcionamento 18 GHz
Figura de NF-Ruído 2 dB
P1dB-Ponto de compressão 14 dBm
OIP3-Interceptação de terceira ordem 25 dBm
Perda de entrada-retorno 10 dB

Descrições

RF Amp Single LNA 18GHz 4V 32-Pin CQFN EP T/R
Amplificador de RF Lo Amplificador de ruído SMT 9 - 18 GHz
Etiquetas:

Microcontrolador de superfície do RF da montagem

Circuitos integrados da radiofrequência de Bluetooth

Poder IC do RF de múltiplos propósitos