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MAX6731UTTD3+T IC SUPERVISOR MPU W/WD SOT23-6 Analog Devices Inc./Maxim Integrated
| Tipo: | Restauração simples/Poder-na restauração |
|---|---|
| Número de tensões monitoradas: | 1 |
| Tensão - ponto inicial: | 3.075V |
MAX16047ETN+ IC SUPERVISOR 12 CANAL 56TQFN Analog Devices Inc./Maxim Integrated
| Tipo: | Gestor de Sistema |
|---|---|
| Número de tensões monitoradas: | 12 |
| Tensão - ponto inicial: | Ajustável/selecionável |
MCF51JF32VHS IC MCU 32BIT 32KB FLASH 44MAPLGA N✖P USA Inc.
| Processador do núcleo: | Coldfire V1 |
|---|---|
| Tamanho do núcleo: | Núcleo único de 32 bits |
| Velocidade: | 50MHz |
71024S15TYG IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ Renesas Electronics America Inc.
| Tipo da memória: | Temporário |
|---|---|
| Formato da memória: | SRAM |
| Tecnologia: | SRAM - Assíncrono |
IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.
| Tipo da memória: | Temporário |
|---|---|
| Formato da memória: | SRAM |
| Tecnologia: | SRAM - Sincrono, DDR II |
IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc
| Tipo da memória: | Temporário |
|---|---|
| Formato da memória: | GOLE |
| Tecnologia: | RLDRAM 2 |
71V424S10PHG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Renesas Electronics America Inc.
| Tipo da memória: | Temporário |
|---|---|
| Formato da memória: | SRAM |
| Tecnologia: | SRAM - Assíncrono |
IS62WV5128BLL-55HLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32STSOP I ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.
| Tipo da memória: | Temporário |
|---|---|
| Formato da memória: | SRAM |
| Tecnologia: | SRAM - Assíncrono |
IS62WV102416EBLL-45BLI IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.
| Tipo da memória: | Temporário |
|---|---|
| Formato da memória: | SRAM |
| Tecnologia: | SRAM - Assíncrono |
IS63WV1024BLL-12TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.
| Tipo da memória: | Temporário |
|---|---|
| Formato da memória: | SRAM |
| Tecnologia: | SRAM - Assíncrono |

